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FDM3622

更新时间:2025-05-17 01:23:39
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FDM3622外观图

FDM3622

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33

  • 封装:8-PowerVDFN
FDM3622 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    60 毫欧 @ 4.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1090pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    900mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装
    8-Power33（3x3）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDM3622-NDFDM3622TR
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