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              FDM606P
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FDM606P

更新时间:2025-05-14 00:36:07
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  • 大小：146.19KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 6.8A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：30nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2200pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.92W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-MLP，MicroFET?
  • 供应商设备封装：8-MLP，MicroFET（3x2）
  • 包装：带卷 (TR)
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