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NTLJS4114NT1G

更新时间:2025-06-22 04:09:04

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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达创芯源（深圳）电子有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市跃创芯科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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深圳市伟欣华电子有限公司
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原装现货，价格优势，支持bom表配单

现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市腾桩电子有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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深圳原包装现货库存假一赔十

蓝界科技（深圳）有限公司
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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上海驰循电子科技有限公司
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价

深圳市吉铭贸易有限公司
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MOSFET NCH 30V 3.6A 6WDFN/2020+
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中扬电子（深圳）有限公司
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深圳市世纪成达电子科技有限公
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深圳市积美福电子科技有限公司
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NTLJS4114NT1G外观图

NTLJS4114NT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN

封装:6-WDFN 裸露焊盘

NTLJS4114NT1G 概述

NTLJS4114NT1G是由安森美半导体生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能的电源管理应用。典型应用场景包括负载开关、电池保护电路以及便携式设备中的DC-DC转换器。由于其低栅极电荷和低导通电阻特性，在减少功耗方面表现优异。在设计中使用时，应注意栅极驱动电压的选择以确保完全导通，并根据实际电流需求合理选择散热方式。对于便携式设备而言，这款MOSFET能够有效提升设备的整体效率和续航能力。在电路设计上，可以与相应的控制IC配合使用来实现精确的电源管理功能。

NTLJS4114NT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
µCool™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫欧 @ 2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
650pF @ 15V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-WDFN（2x2）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTLJS4114NT1G-NDNTLJS4114NT1GOSTR

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