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当前位置：维库电子市场网>IC>ntmd4n03r2g 更新时间:2024-04-27 23:29:03

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  • NTMD4N03R2G的技术参数

    产品型号:ntmd4n03r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60最大漏极电流id(on)(a):4通道极性:n封装/温度(℃):soic-8/-55~150描述:30v,4a,n沟道双mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTMD4N03R2G的技术参数

    产品型号:NTMD4N03R2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
    最大漏极电流Id(on)(A):4
    通道极性:N
    封装/温度(℃):SOIC-8/-55~150
    描述:30V,4A,N沟道双MOSFET
    价格/1片(套):暂无


     &...

ntmd4n03r2g替代型号

NTMD3P03R2G NTMD2C02R2SG NTMD2C02R2G NTLTD7900ZR2G NTLTD7900ZR2 NTLJS3113PT1G NTLJF4156NT1G NTLJF3117PT1G NTLJD4116NT1G NTLJD3115PT1G

NTMD6N02R2G NTMD6N03R2G NTMD6P02R2G NTMFS4108N NTMFS4108NT1G NTMFS4119NT1G NTMFS4120NT1G NTMFS4121NT1G NTMFS4122NT1G NTMFS4701NT1G

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