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ntmd6n02r2g中文资料

  • NTMD6N02R2G的技术参数

    产品型号:ntmd6n02r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):35最大漏极电流id(on)(a):6.500通道极性:n沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:6.0 a, 20v功率mosfet价格/1片(套):￥3.80 来源:xiangxueqin

  • NTMD6N02R2G的技术参数

    产品型号:NTMD6N02R2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):35
    最大漏极电流Id(on)(A):6.500
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
    描述:6.0 A, 20v功率MOSFET
    价格/1片(套):￥3.80

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ntmd6n02r2g替代型号

NTMD4N03R2G NTMD3P03R2G NTMD2C02R2SG NTMD2C02R2G NTLTD7900ZR2G NTLTD7900ZR2 NTLJS3113PT1G NTLJF4156NT1G NTLJF3117PT1G NTLJD4116NT1G

NTMD6N03R2G NTMD6P02R2G NTMFS4108N NTMFS4108NT1G NTMFS4119NT1G NTMFS4120NT1G NTMFS4121NT1G NTMFS4122NT1G NTMFS4701NT1G NTMFS4707NT1G

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