IRF6641
5800
QFN/23+
进口原装现货,杜绝假货。
IRF6641
8800
-/24+
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
IRF6641
65286
-/21+
全新原装现货,长期供应,免费送样
IRF6641
8000
DirectFETMX/2024+
原装现货,支持BOM配单
IRF6641
6000
DIRECTFET/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
IRF6641
6000
DIRECTFET/23+
原装现货 只做原厂原装优势库存 自家库存
IRF6641
28683
QFN8/21+
原装现货终端免费提供样品
IRF6641
2342
DIRECTFET/2006
英特翎科技原装
IRF6641
16000
DIRECTFET/25+23+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
IRF6641
8000
DirectFETMX/2023+
原装现货,支持BOM配单
IRF6641
7800
QFN/23+
只做进口原装假一赔十
IRF6641
9200
DIRECTFET/23+
只做原装更多数量在途订单
IRF6641
8000
DirectFET MZ/22+
只做原装
IRF6641
2342
-/06+
06+
IRF6641
3000
QFN/2019+
原装 部分现货量大期货
IRF6641
41101
DIRECTFET/-
大量现货,提供一站式配单服务
IRF6641
7000
DIRECTFET/21+
终端可免费供样,支持BOM配单
IRF6641
63422
DIRECTFET/2215+
原装现货,可提供一站式配套服务
IRF6641
6000
DIRECTFET/22+
原装现货
IRF6641
5568
-/22+
全新原装,价优,欢迎订购
事情。lidow博士提供的一些资料增加了说服力,在一个基于导通电阻性能带来的不同材料功率器件成本比较中,第一代gan出色的性能远超si和sic,并且目前epc公司的两款gan器件epc1010和epc1001所实现的封装面积还远未到gan器件理论极限,“这也意味着,gan器件在优化成本上的空间还很巨大,”lidow说。 在另一个有关功率器件品质因数(fom)的比较图中,epc1010分别同三家公司的的mosfet(vishay的si7462dp、fairchild的fdms2672和ir的irf6641)进行比较的结果也令人惊讶——epc1010的fom值较三者中表现最好的irf6641还要低将近20倍!fom =rds(on) x qg (200v),由此可见gan器件在导通损耗和开关损耗两项关键值上表现优异。 lidow强调,mosfet工作模式有两类——耗尽型(depletion mode)和增强型(enhancement mode),即正常情况下导通和断开两种工作模式,epc采取了其中的增强型模式,其产品为egan型。而竞争者ir的gan产品为耗尽型模式,“以d类音频放大为例,e