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  • NTHD4508NT1G的技术参数

    产品型号:nthd4508nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):75最大漏极电流id(on)(a):4通道极性:n沟道封装/温度(℃):chipfet /-55~150描述:20 v, 4.1 a功率mosfet价格/1片(套):￥2.40 来源:xiangxueqin

  • NTHD4508NT1G的技术参数

    产品型号:NTHD4508NT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75
    最大漏极电流Id(on)(A):4
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):ChipFET /-55~150
    描述:20 V, 4.1 A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥2.40

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nthd4508nt1g替代型号

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