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  • NTHD4N02FT1的技术参数

    产品型号:nthd4n02ft1源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60@-4.5v最大漏极电流id(on)(a):2.700通道极性:n沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~125描述:-2.7a,-20v p沟道功率mosfet和肖特基二极管价格/1片(套):￥6.40 来源:xiangxueqin

  • NTHD4N02FT1的技术参数

    产品型号:NTHD4N02FT1
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V
    最大漏极电流Id(on)(A):2.700
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):ChipFET/-55~125
    描述:-2.7A,-20V P沟道功率MOSFET和肖特基二极管
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nthd4n02ft1替代型号

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