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  • NTHD4502NT1G的技术参数

    产品型号:nthd4502nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85最大漏极电流id(on)(a):3.900通道极性:n封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:30v,3.9a,n沟道双mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTHD4502NT1G的技术参数

    产品型号:NTHD4502NT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85
    最大漏极电流Id(on)(A):3.900
    通道极性:N
    封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
    描述:30V,3.9A,N沟道双MOSFET
    价格/1片(套):暂无

nthd4502nt1g替代型号

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