3150
SOT238/11+
只做原装支持实单/长期高价回收手机料库存
NTHD4P02FT1G
32541
SSOP/24+
深圳原装现货库存假一赔十
NTHD4P02FT1G
7745
12068/24+25+
进口原装
NTHD4P02FT1G
1390
10+/SOT283
全新原装现货
NTHD4P02FT1G
23888
SOT238/0941+
原装现货,市场价格
NTHD4P02FT1G
5000
36872339/25+
提供BOM一站式配单服务
NTHD4P02FT1G
2063
12068/06+
全新原装现货
NTHD4P02FT1G
3000
SOT238/N/A
原装正品热卖,价格优势
NTHD4P02FT1G
12000
SOT238/24+
只做原装,BOM表配单
NTHD4P02FT1G
18900
ChipFET/-
原装现货,可开票,提供账期诚信服务
NTHD4P02FT1G
12260
-/23+
高品质 优选好芯
NTHD4P02FT1G
780
NA/NA
-
NTHD4P02FT1G
12500
SOT238/25+
16年老牌企业 原装低价现货
NTHD4P02FT1G
29078
-/-
现货十年以上分销商,原装进口件,服务型企业
NTHD4P02FT1G
8500
SOT238/2025+
原装现货
NTHD4P02FT1G
5000
SOT238/23+
优势产品大量库存原装现货
NTHD4P02FT1G
40
SOT283/23+
一站式配单 QQ报价
NTHD4P02FT1G
240000
24+/12068
-
NTHD4P02FT1G
6000
SOT235/23+
终端可以免费供样,支持BOM配单
NTHD4P02FT1G
8700
-/23+
原装现货
NTHD4P02FT1G
Power MOSFET and Schottky Diode
ONSEMI
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NTHD4P02FT1G
Power MOSFET and Schottky Diode
ONSEMI [ON Semiconductor]
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产品型号:nthd4p02ft1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155最大漏极电流id(on)(a):3通道极性:p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:-20 v, -3.0 a,功率mosfet价格/1片(套):¥2.80 来源:xiangxueqin
产品型号:NTHD4P02FT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155
最大漏极电流Id(on)(A):3
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:-20 V, -3.0 A,功率MOSFET
价格/1片(套):¥2.80