当前位置:维库电子市场网>IC>nthd4p02ft1g 更新时间:2025-09-23 17:10:30

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  • NTHD4P02FT1G的技术参数

    产品型号:nthd4p02ft1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155最大漏极电流id(on)(a):3通道极性:p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:-20 v, -3.0 a,功率mosfet价格/1片(套):¥2.80 来源:xiangxueqin

  • NTHD4P02FT1G的技术参数

    产品型号:NTHD4P02FT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155
    最大漏极电流Id(on)(A):3
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
    描述:-20 V, -3.0 A,功率MOSFET
    价格/1片(套):¥2.80

nthd4p02ft1g替代型号

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