NTHD4P02FT1G
32541
SSOP/24+
深圳原装现货库存假一赔十
NTHD4P02FT1G
7745
12068/21+
进口原装
NTHD4P02FT1G
3150
SOT238/11+
只做原装支持实单/长期高价回收手机料库存
NTHD4P02FT1G
50000
-/25+
原厂渠道商,可支持60天账期及180天承兑
NTHD4P02FT1G
2965
12068/0650+
-
NTHD4P02FT1G
10000
36872339/24+
原装现货,提供BOM配单服务
NTHD4P02FT1G
25000
CHIPFET/22+
只有原装原装,支持BOM配单
NTHD4P02FT1G
6000
SOT235/23+
终端可以免费供样,支持BOM配单
NTHD4P02FT1G
16000
12068 ChipFET/2025+
原装有货
NTHD4P02FT1G
8700
-/23+
原装现货
NTHD4P02FT1G
16500
SOT283/25+23+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
NTHD4P02FT1G
15620
TSOT8/2025+
一级代理,原装假一罚十价格优势长期供货
NTHD4P02FT1G
8680000
1008/1808+
原装正品,亚太区电子元器件分销商
NTHD4P02FT1G
3000
-/24+
进口原装欢迎询价
NTHD4P02FT1G
26800
NA/2324+
保证全新原装
NTHD4P02FT1G
25000
CHIPFET/22+
只有原装原装,支持BOM配单
NTHD4P02FT1G
12500
SOT238/24+
16年老牌企业 原装低价现货
NTHD4P02FT1G
9400
SOT238/23+
原装现货
NTHD4P02FT1G
3000
SOT238/N/A
原装正品热卖,价格优势
NTHD4P02FT1G
2424
SOT/2021+
100%全新原装进口现货,优势库存
产品型号:nthd4p02ft1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155最大漏极电流id(on)(a):3通道极性:p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:-20 v, -3.0 a,功率mosfet价格/1片(套):¥2.80 来源:xiangxueqin
产品型号:NTHD4P02FT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155
最大漏极电流Id(on)(A):3
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
描述:-20 V, -3.0 A,功率MOSFET
价格/1片(套):¥2.80