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NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
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封装的mosfet降低60％，可导通更大电流。 安森美半导体的沟道mosfet有三种微小（1.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封装选择，节约了宝贵的板空间。因mosfet极易受到静电放电（esd）的损害，且封装越小，受esd损害的可能性越大，安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道mosfet门，提供优异的esd保护。总之，这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。 - nta4151pt1，nte4151pt1，ntzs3151pt1和ntzd3152pt1：用于达850 ma高端负载开关的p沟道mosfet。提供单模式和双模式。- nta4153nt1，nte4153nt1 和ntzd3154nt1：用于高达915 ma低端负载开关的n沟道mosfet。提供单模式和双模式。- ntzd3155ct1：互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流直流至直流转换。 每个器件有三种薄型的1.6mm×1.6mm封装。六引脚高度0.6mm的sot-563和三引脚高度0.8mm的 sc-89为扁平引脚封装。三引脚高度1.0mm的
增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(rds(on))，其rds(on)范围介于150至900mω之间，因此可以导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。扁平引脚
等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(rds(on))，其rds(on)范围介于150至900mω之间，因此可以导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。
产品型号:NTZD3152PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):900
最大漏极电流Id(on)(A):0.430
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-563/-55 ~150
描述:-20 V, -430 mA 双功率MOSFET
价格/1片(套):￥1....
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