带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
1000
SOT563/19+
四雄微原装价优实在
212
SOT563/21+
QQ询价原装真实库存现货热卖
28887
12+/SOT563
全新原装现货支持实单
NTZD3154NT1G
16600
SOT563/22+
全新原装，价格优势
NTZD3154NT1G
40000
SOT563/21+
原装现货.假一罚十
NTZD3154NT1G
98000
SOT563/24+
100%原装进口现货特价，长期供货
NTZD3154NT1G
3200
SOT563/22+PB
进口原装现货，特价销售，库存数量不止，欢迎咨询
NTZD3154NT1G
5000
-/25+
只做原装，可提供技术支持及配单服务
NTZD3154NT1G
10000
SOT563/22+
只做原装原盘原标可含税
NTZD3154NT1G
65200
SOT563/25+
全网价，认准华盛锦
NTZD3154NT1G
30000
SOT563/10+
进口原装，现货
NTZD3154NT1G
260
SOT563/21+CN
原装现货 可含税账期可谈
NTZD3154NT1G
56000
-/24/25+
原装BOM一站配单
NTZD3154NT1G
101000
SOT563/21+
全新原装现货/支持实单
NTZD3154NT1G
813
SOT563/21+
QQ询价原装真实库存现货热卖
NTZD3154NT1G
22510
-/23+
原装/一站式BOM表配单/欢迎询价
NTZD3154NT1G
60000
SOT563/21
21
NTZD3154NT1G
12450
SOT563/2023
原装现货 假一赔十
NTZD3154NT1G
970
SOT236/-
盘装
NTZD3154NT1
8913
SOT563/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
NTZD3154NT1GPDF下载
.0mm）封装选择，节约了宝贵的板空间。因mosfet极易受到静电放电（esd）的损害，且封装越小，受esd损害的可能性越大，安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道mosfet门，提供优异的esd保护。总之，这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。 - nta4151pt1，nte4151pt1，ntzs3151pt1和ntzd3152pt1：用于达850 ma高端负载开关的p沟道mosfet。提供单模式和双模式。- nta4153nt1，nte4153nt1 和ntzd3154nt1：用于高达915 ma低端负载开关的n沟道mosfet。提供单模式和双模式。- ntzd3155ct1：互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流直流至直流转换。 每个器件有三种薄型的1.6mm×1.6mm封装。六引脚高度0.6mm的sot-563和三引脚高度0.8mm的 sc-89为扁平引脚封装。三引脚高度1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能，并使高度得到改进。 新器件每10,000件的批量单价在0.10
导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能。新器件每10,000件的批量单价在0.10美元至0.12美元之间(仅供参考)。 来源
安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能。新器件每10,000件的批量单价在0.10美元至0.12美元之间(仅供参考)。
产品型号:NTZD3154NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):550
最大漏极电流Id(on)(A):0.570
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):6SOT-563/-55~150
描述:20 V, 570 mA功率MOSFET带ESD保护
价格/1片(套):...
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