9500
SOT563/22+
现货、订货、调货
16000
SOT563/21+
原装现货，主营全系列产品
28110
SOT563/+
原装现货，支持实单
NTZD3154NT1G
90000
SOT563/23+
一级代理现货，保证进口原装假一罚十价格合理
NTZD3154NT1G
3000
SOT563/21+
只做原装，也只有原装
NTZD3154NT1G
54
SOT565/2010+
-
NTZD3154NT1G
562491
SOT563/22+
价格优势长期供应只做原装支持开票
NTZD3154NT1G
130000
SOT5636/22+
特价原装现货，提供BOM配单服务
NTZD3154NT1G
10000
SOT563/22+
只做原装原盘原标可含税
NTZD3154NT1G
98000
SOT563/24+
100%原装进口现货特价，长期供货
NTZD3154NT1G
3200
SOT563/22+PB
进口原装现货，特价销售，库存数量不止，欢迎咨询
NTZD3154NT1G
12450
SOT563/2023
原装现货 假一赔十
NTZD3154NT1G
16000
SOT563/21+
到货工厂库存现货，支持实单来谈
NTZD3154NT1G
22510
-/23+
原装/一站式BOM表配单/欢迎询价
NTZD3154NT1G
65200
SOT563/22+
全网价，认准华盛锦
NTZD3154NT1G
4000
SOT563/21+
原装进口，假一赔十
NTZD3154NT1G
30000
SOT563/10+
进口原装，现货
NTZD3154NT1G
3424
SOT563/08+PB
原装现货，假一赔十
NTZD3154NT1G
9000
SOT563/21+
原装现货 可开增值税发票
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
NTZD3154NT1GPDF下载
.0mm）封装选择，节约了宝贵的板空间。因mosfet极易受到静电放电（esd）的损害，且封装越小，受esd损害的可能性越大，安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道mosfet门，提供优异的esd保护。总之，这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。 - nta4151pt1，nte4151pt1，ntzs3151pt1和ntzd3152pt1：用于达850 ma高端负载开关的p沟道mosfet。提供单模式和双模式。- nta4153nt1，nte4153nt1 和ntzd3154nt1：用于高达915 ma低端负载开关的n沟道mosfet。提供单模式和双模式。- ntzd3155ct1：互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流直流至直流转换。 每个器件有三种薄型的1.6mm×1.6mm封装。六引脚高度0.6mm的sot-563和三引脚高度0.8mm的 sc-89为扁平引脚封装。三引脚高度1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能，并使高度得到改进。 新器件每10,000件的批量单价在0.10
导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能。新器件每10,000件的批量单价在0.10美元至0.12美元之间(仅供参考)。 来源
安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的sc-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能。新器件每10,000件的批量单价在0.10美元至0.12美元之间(仅供参考)。
产品型号:NTZD3154NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):550
最大漏极电流Id(on)(A):0.570
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):6SOT-563/-55~150
描述:20 V, 570 mA功率MOSFET带ESD保护
价格/1片(套):...
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