作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应...
我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET，并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长，因此对于早期 MOS 晶体管来说相当准确。然而，后续研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧...
分类：电子测量 时间：2024-08-06 阅读：162 关键词：SiC MOSFET
1.用指针式万用表检测 判别内无保护二极管的VMOS场效应管的引脚极性，可按照以下两步进行。 （1）判定栅极G。将万用表置于R×1k挡，分别测量三个电极之间的电阻，如...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率...
分类：元器件应用 时间：2024-06-14 阅读：370 关键词：二极管,MOSFET
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描...
在本文中，我们将使用 PTM 网站上的 CMOS 模型。您可以通过导航到我上面链接的站点存档并单击“最新模型”来找到它。在那里，您将看到适用于不同 CMOS 工艺节点的大量 SPIC...
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信...
分类：元器件应用 时间：2024-06-05 阅读：316
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中...
ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。 近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多M...
ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的...
分类：元器件应用 时间：2024-05-24 阅读：771 关键词：MOSFET栅极驱动器
PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种常见的场效应晶体管（FET），其工作原理如下： PMOS管由一个p型的沟道和两个n型的源极和漏极组成。在沟道和源极之间存在一个绝缘层，称为氧化层或门绝缘层。...
我们不会进一步讨论静态功耗。相反，本文和下一篇文章将介绍 SPICE 仿真，以帮助您更全面地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文重点讨论开关功率——输出电压变化时电容...
CMOS 反相器的发展为集成电路提供了基本功能，是技术史上的一个转折点。该逻辑电路突出了使 CMOS 非常适合高密度、高性能数字系统的电气特性。 CMOS 的优势之一是其效率...
分类：电源技术 时间：2024-05-16 阅读：322
MOS管是一种场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET），其名称源自金属氧化物半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）。MOS管包括两种类型：NMOS（N-Channel MOS）和PMOS（P-Channel MOS）。 NMOS（N-Channel M...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。 在开关模...
分类：元器件应用 时间：2024-04-29 阅读：349
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 的效率更高...
分类：电子测量 时间：2024-04-26 阅读：498 关键词：逆变器SiC MOSFET
采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。 二极管的种类有很多，...
BiCMOS 逻辑系列 BiCMOS 逻辑系列将双极器件和 CMOS 器件集成在单个芯片上，结合了两个系列的优点。双极逻辑系列具有更高的开关速度和更高的输出驱动电流容量。CMOS 系...
尽管大规模集成在当代电子设计中无处不在，但经典 CMOS 图腾柱拓扑中的分立 MOSFET 有时仍然是不可或缺的。这使得使用逻辑电平信号有效驱动它们的提示和技巧同样有用，因为...
时间：2024-04-10 阅读：672 关键词：信号
