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FDI150N10

更新时间:2025-06-08 10:36:03
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FDI150N10外观图

FDI150N10

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

  • 封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
FDI150N10 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    57A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    16 毫欧 @ 49A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    4760pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    110W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装
    TO-262-3
  • 包装
    管件
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