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NTHD4502NT1G

更新时间:2025-07-13 03:50:25

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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NTHD4502NT1G外观图

NTHD4502NT1G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET

封装:8-SMD，扁平引线

NTHD4502NT1G 概述

NTHD4502NT1G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用超小尺寸的SOT-23封装，非常适合对空间要求苛刻的应用场景。该MOSFET具有低导通电阻和高开关速度特性，在电路中可实现高效能的功率转换与控制。其典型应用场景包括电池供电设备、DC-DC转换器以及负载开关等便携式电子产品中。由于其封装尺寸小巧且电气性能优越，也适用于高速开关电路设计。在实际应用时需注意，栅极驱动电压应确保在规定范围内以避免损坏器件，同时合理布局PCB走线减少寄生电感影响开关性能。对于低功耗手持设备的设计，此款MOSFET能够有效提升系统整体效率并延长电池使用时间。

NTHD4502NT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫欧 @ 2.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 15V
功率 - 最大
640mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商设备封装
ChipFET?
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTHD4502NT1GOSTR

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