日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK   SO-8单体封装的60 V TrenchFET   第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率，导通电阻比前代器件降低36%，同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品水平。
　　日前发布的器件10 V条件下导通电阻降至1.7 m，栅极电荷仅为52 nC，输出电荷为68 nC，COSS为992 pF。在功率转换应用中，这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 分别比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。
　　SiR626DP改进了技术规格，经过调校限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流，隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率，适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。
　　MOSFET经过100% RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。