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MOS开关设计

开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被...

时间:2024-01-23 阅读:763 关键词:MOS开关

双向开关能否成为行业标准?

双向开关比传统电源开关具有优势,并可能成为行业标准。  一个多世纪以来,工程师和科学家一直在开发更先进的半导体功率开关,旨在改善各种设备的功能。传统的电源开关通常是单向的,因此需要至少两个单独的开关来...

时间:2023-12-25 阅读:535 关键词:双向开关

光开关 SensorEyec 应用

本文档介绍了 MLX75303 光开关 SensorEyeC 的两种应用原理。这些是耐脏非接触式开关和非接触式位置开关。该描述侧重于应用原理,而不是提供完整的电路布局或元件值。  范...

时间:2023-10-16 阅读:374 关键词:MLX75303 光开关  

绿色模式降压开关:FSL336LR

离线转换器是将交流电压直接从交流电源线上转换为直流电压的转换器。与其他类型相比,这些设备的一些主要特点是尺寸更小,重量更轻。这是由于其系统中没有工频隔离变压器。...

时间:2023-09-19 阅读:414 关键词:降压开关

使用负载开关来提供针对电压和电流浪涌的强大保护

在选择负载开关之前,我们先了解一下负载开关功能和性能的一些基础知识。基本上,高侧负载开关将电源与负载连接或断开,并且该开关由外部使能信号(模拟或数字)控制。高侧...

时间:2023-09-14 阅读:579 关键词:MOSFET

高侧负载开关保护便携式电子系统

尽管我们尽最大努力通过使用保护壳或采用坚固的设计技术来保护我们的便携式设备免受物理伤害,但还可以应用另一层保护。在便携式电子设备本身中,负载开关可用于防止电涌、...

时间:2023-08-24 阅读:655 关键词:负载开关

优化高压 GaN 晶体管开关性能的设计技术

GaN 功率晶体管具有高跨导和宽带宽,可实现非常快速的开关转换,即使在硬开关应用中也能实现极低的损耗。然而,快速开关和随后的高 di/dt 和 dv/dt 可能对主 GaN 功率晶体...

时间:2023-08-10 阅读:484 关键词:GaN 晶体管  

双向 SiC 和 GaN 开关技术

有许多大容量电源应用需要控制双向电源流。目前,单片双向 SiC 和 GaN 功率半导体开关尚未商用。相反,通常使用单向功率器件的背靠背(反串联)连接方案,导致芯片面积增加...

时间:2023-08-02 阅读:588 关键词:SiC , GaN  

如何制作SiC双向开关

“就电流而言,GaN 横向器件本质上是双向的。无论电流是从源极到漏极还是从漏极到源极,都是一样的,因为不涉及体二极管。然而,这种配置的阻塞是单向的,因为它是由栅极到...

时间:2023-07-18 阅读:572 关键词:SiC双向开关

兆赫开关频率提升 GaN 性能

氮化镓 (GaN) 因其比传统硅基器件更高的电子迁移率而具有出色的高频开关能力。GaN 晶体管对于电力电子器件至关重要,因为它们在高开关频率下工作,从而实现更小的磁性元件...

时间:2023-07-13 阅读:518 关键词:开关

将触觉按钮开关连接到 RPi

将触觉按钮开关连接到 RPi 非常容易。需要记住的一个重要事项是 RPi 的 GPIO 引脚符合 +3.3VDC 标准。施加大于 +3.3VDC 的电压会损坏 RPi。连接触觉按钮开关的电气接线图如...

时间:2023-07-06 阅读:568

了解单极开关、全极开关、双极开关

单极开关 单极开关的功能如图 3所示。 该器件被称为单极开关,因为它的开关阈值(B RP和B OP)位于B场轴的正区域。输出状态只能响应南极场而改变。北极或负磁场对传感器没有影响;解释“单极开关”这个名称...

时间:2023-06-30 阅读:2988

开关器件的作用

牵引逆变器通常由三个半桥元件组成,每个半桥元件由一对被称为高侧和低侧开关的 MOSFET 或 IGBT 组成。每个电机相有一个半桥,总共三个,栅极驱动器控制每个开关器件。 图 1牵引逆变器概述突出显示了关键设计构建...

时间:2023-06-30 阅读:819 关键词:开关器件

输入接口单个开关

开关和按钮是具有两组或更多组电触点的机械装置。当开关打开或断开时,触点开路,而当开关闭合或操作时,这些触点短路在一起。 将开关(或按钮)连接到电子电路的最常见...

时间:2023-06-27 阅读:707 关键词:开关

使用 MOSFET 作为开关的示例

在此电路布置中,增强型 N 沟道 MOSFET 用于将简单的灯“打开”和“关闭”(也可以是 LED)。 栅极输入电压V GS被带到适当的正电压电平以打开设备,因此灯负载“打开”...

时间:2023-06-20 阅读:845 关键词:MOSFET

AND 函数的开关表示

AND 函数的开关表示 逻辑与功能 在这里,两个开关A和B连接在一起形成串联电路。因此,在上面的电路中,开关A 和开关B都必须闭合(逻辑“1”)才能点亮灯。换句话说,...

时间:2023-06-20 阅读:904 关键词:AND 函数

开关电容电路频率的优缺点

如果 f OSC太低,开关系统会缺电,这表现为提供负载电流的能力降低——换句话说,表现为更高的输出电阻。事实上,理想化开关电容电路的输出电阻与振荡器频率(以及 C1 的值...

时间:2023-06-19 阅读:595

MOSFET 对构成简单的 SPDT 开关

使用 n 和 p 沟道 MOSFET,您可以轻松实现单刀双掷 (SPDT) 开关来隔离电路的一部分,并在电路其余部分关闭时从辅助电源为其供电以进行待机操作(图 1)。通过使用互补对,...

时间:2023-06-13 阅读:553 关键词:MOSFET , SPDT 开关  

一项声称用于硬开关的 GaN 技术突破

一种新的氮化镓 (GaN) 解决方案声称可以使该技术远远超过其当前 100 kHz 的限制,以促进为 HVAC 和机器人技术等应用提供服务的电机驱动系统在高压下的硬开关。QPT 的两个新模块采用了一种 IP,使高压硬开关应用中的 ...

时间:2023-05-26 阅读:797 关键词:GaN 技术  

开关直流升压电原理分析

开关直流升压电路(即所谓的boost或者step-up电路)原理the boost converter,或者叫step-up converter,是一种开关直流升压电路,它可以是输出电压比输入电压高。假定那个开关(三极管或者mos管)已经断开了很长时间,所...

时间:2023-05-20 阅读:628 关键词:开关

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