集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因素。 图1 基于标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管 图1中介绍了—种基于0.6 gm标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2311 关键词：工艺下集成光电探测器探测器
现有的同步光网络系统是按长距离骨干网设计的，采用的是比较昂贵的串行光发射和接收设备，对光纤线路的要求较高，必须对整个光纤链路进行细致地设计、模拟。而短距离光传送方式与骨干网有很大的不同，由于距离较短，...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：1963 关键词：甚短距离光传输技术（VSR）简介光传输
穿通效应（Reach-Through Effect）。当两个与衬底的掺杂类型不同的阱相邻时，穿通效应的影响就会很重要。当两个阱中电路为模拟电路时，阱的电位可能互不相同。当两个阱的电位之差足够大时，阱的耗尽区向外扩展并可能...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：3221 关键词：相同类型阱之间的穿通效应CMOS
闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存在于MOS晶体管结构中的两个寄生双极晶体管各自的基极分别与对方的集电极相连，形成了四层的晶闸管的结构。当其中一个...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：7929 关键词：寄生双极型晶体管闩锁效应的影响CMOS晶体管
图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底（Na=6x1012cm-3）上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管［59～60］。 图1 NMOS集成横向PIN光电二极管 由于PIN结构是直接制作在高电阻率的衬底上，因而I层的厚度可以...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：3861 关键词：集成横向PIN光电二极管DELTA二极管
一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测器（Spatially-Modulated-Light Detector）结构被提出[57]，如图1（a）所示。由N+扩散和N阱形成六个叉指探测区域，N+...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2740 关键词：空间调制光电探测器CMOS探测器
图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2884 关键词：工艺参数下光电探测器的器件模拟LUCENTCMOS探测器
图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置［56］，从图可见，N阱与P＋区构成一个二极管，称为工作二极管D。；N阱与衬底构成一个二极管，称为屏蔽二极...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2020 关键词：二维器件模拟光电探测器的结构CMOS探测器
CMOS光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深度较深（约10 gm），同时CMOS工艺中源漏注入形成的pn结结深较浅（＜1 gm），因此大量的光生载流子是在pn结外的体硅内...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2261 关键词：光电P型叉指结构二极管CMOS二极管
N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的宽度太小，大部分的光生载流子产生在这个区域之外。这部分载流子的运动形式主要是缓慢的扩散运动，这就大大限制了光电...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：4379 关键词：双光电二极管（DPD）CMOS二极管
图1所示为国内东南大学设计的一种LD发射机原理图。其发光部分LD采用VCSEL激光器，实现了单片集成。下面 主要介绍一下该机驱动电路部分的模块设计。芯片指标如表1所示。图1 一种LD发射机框图 表1 LD发射器驱动电路...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2766 关键词：LD发射机实例LD发射机
典型的LD光发射机框图如图1所示。主要包括如下。 （1）激光二极管：LD器件设计和制作，在第2章己经有详细介绍，这里不再赘述。 （2）波行整形：由线路编码送给发射电路的时钟，首先各通过一个门电路进行整形，...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：3782 关键词：典型的LD光发射机LD光发射机
CM0S工艺是最为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（N阱或者P阱）。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上，而将PMOS寺刂作在N阱中；...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3951 关键词：基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器SILICONCMOSLATCH探测器
对LED和LD的特性进行比较可以知道：对于LD来说，它具有输出功率大、光谱窄、能够达到较高的调制速率等优 点，它适应于长距离，高速大容量的光通信系统。而对LED来说，由于它的发射角较大，与光纤的耦合效率低，光 谱...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3223 关键词：LED发射器LED
图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 P+-N型光电二极管采用在电阻率p＝6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二极管的P＋阳...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2235 关键词：集成光电探测器彩色传感器传感器
在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰发射的光比2 000 K温度下的背景辐射（例如黑体辐射）要强得多。通常在波长肛250～400 nm的紫外光谱范围内，火焰的光发...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3496 关键词：紫外（UV）光探测器探测器
基区－集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管，结构如图1所示［40］。 图1 一种纂于SBC工艺的光电晶体管 简单地说，双极工艺制作的光电晶体管利用基区－集电区pn结作为一个光吸收的耗尽...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4518 关键词：光电晶体管晶体管
在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3599 关键词：集电极形成的PIN光电二极管二极管
图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2349 关键词：双极工艺光电二极管二极管
目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵，对于短距离数据传输的应用，例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：1864 关键词：基于硅基双极型工艺的光电探测器CMOS探测器
