在燃烧监视等工业应用场合，需要某一个特定的对光谱特别敏感的光电探测器，在此光谱范围内，火焰发射的光比2 000 K温度下的背景辐射（例如黑体辐射）要强得多。通常在波长肛250～400 nm的紫外光谱范围内，火焰的光发...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3368 关键词：紫外（UV）光探测器探测器
基区－集电区pn结面积被扩大了的NPN晶体管显然可以被用做光电晶体管，结构如图1所示［40］。 图1 一种纂于SBC工艺的光电晶体管 简单地说，双极工艺制作的光电晶体管利用基区－集电区pn结作为一个光吸收的耗尽...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4344 关键词：光电晶体管晶体管
在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3448 关键词：集电极形成的PIN光电二极管二极管
图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2237 关键词：双极工艺光电二极管二极管
目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵，对于短距离数据传输的应用，例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：1768 关键词：基于硅基双极型工艺的光电探测器CMOS探测器
在功率为15 W疝灯背入射下，测得光谱响应曲线如图1所示，峰值响应波长为286 nm，适合在太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示在0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V偏压下的响应度，在没有偏压下响应度为14.8 mA/W，相应...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：6919 关键词：光电探测器响应度随波长变化曲线探测器
为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4723 关键词：GaN PIN光电探测器结构探测器
GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3902 关键词：GaN基肖特基结构紫外光电探测器探测器
Khan等人[25]在1992年报道了支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处增益达6×103。在5 V的偏压下响应度可达2000 A/W。...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：1870 关键词：采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器探测器
MSM是一种平面结构，结构简单，易于和场效应管单片集成实现OEIC光电子集成回路。如图1所示。未掺杂的GaAs外延生长在半绝缘衬底上，接着在GaAs表面淀积金属形成肖特基二极管结构，相互错开的电极各自加正负电压使电极...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3794 关键词：光电MSM探测器探测器
载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加，特别是当倍增区的禁带宽度较窄时，这种隧穿电流变得相当可观，严重影响了APD的噪声特性。为了减小这种隧穿电流，人们设计了一种将吸收区和倍增区分开（Separate...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：6116 关键词：光电SAM-APD探测器探测器
在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的InGaAsP/...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3657 关键词：雪崩光电探测器结构和能带探测器
由于51的电子空穴离化率之比很高，用它制作的的雪崩二极管噪声低，暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟，所以51材料被广泛应用于APD结构中，而GaAs则较少使用。图1 所示是一个GaAs/Al.45Ga0.5...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4621 关键词：光电探测器多量子阱MQW结构APD探测器
虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率，但是它无法将光生载流子放大，因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能探测到微弱的入射光，我们希望光电探测器具有内部增益，即少量的光生载流子在倍...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4592 关键词：光电APD探测器探测器
四元化合物In1-X，GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如In0.53Ga。47As与InP完全匹配，并且其禁带宽度所对应的光谱吸收波...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：8391 关键词：光电探测器结构示意图探测器
尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb，但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350～500＇C温度下生长在GaSb衬底上，较低的温度用来生长重掺杂P型，较高的温度用来生长N型，′通过用掺碲和掺锗的方法来...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：6387 关键词：光电PIN探测器探测器
图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽（1.34 eV）...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2556 关键词：光电探测器异质结探测器
如图1（a）所示为PIN光电探测器基本结构，N型衬底上生长一层低掺杂本征层，在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触，其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射表面的反射以...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2633 关键词：光电探测器基本结构探测器
半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的，通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步：光子吸收产生电子ˉ空穴对，在适当内电场作用下载流子的漂移，欧姆接触收集载流子。半...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3607 关键词：基于III-V族半导体材料的光电探测器探测器
光电探测器的主要噪声源有暗电流噪声、散粒噪声和热噪声。对理想的光电探测器，在无光照的时候应该没有电流，然而实际上仍然存在有较小的电流。它主要是由耗尽层中载流子的产生－复合电流和耗尽层边界的少子扩散电流...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：4906 关键词：光电噪声和探测度POWER
