MOSFET 在静态状态下提供最大性能，并且在此配置中其功率效率相当高。然而，如果以动态方式推动它们，它们的效率可能会降低，并且损失的功率肯定会增加。SPICE 的软件实现...
分类：元器件应用 时间：2023-11-10 阅读：701 关键词：MOSFET
零重力偏置水平指定设备未施加加速度时的传感器输出电压。 加速度计的实际零重力水平可能与标称值略有不同。与理想零重力水平的偏差通常在加速度计数据表中指定为零重力...
在自动化、便捷性和可持续性需求的推动下，电气化的进步需要更多的传感器、电力电子设备和处理器来可靠、准确地感知周围环境并做出反应。不断寻找如何缩小解决方案的尺寸、...
MEMS 加速度计由几个不同的机械和电气元件组成。这些组件中的每一个都对整体传输函数有贡献，并且可以限制整体系统带宽。 在本文中，我们将研究质量-弹簧-阻尼器系统（...
硅光电倍增管 (SiPM) 是一种固态高增益辐射探测器，可在吸收光子时产生输出电流脉冲。这些基于 PN 结的传感器具有单光子灵敏度，可以检测从近紫外 (UV) 到近红外 (IR) 的光...
在本文中，我们将讨论一些不同类型的光电二极管技术以及用于制造它们的半导体（即硅）的优缺点 这是我们光电二极管系列的第四部分，它将帮助您了解有关光电二极管在光敏电路中的使用及其应用的更多信息。如果您想...
ISL58214 是一款高度集成的激光二极管驱动器，旨在支持激光束扫描 MEMS 投影仪。它采用单 5V 模拟电源供电，可直接驱动阴极接地激光器或阳极连接到高压电源的浮动激光器。I...
对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得最大利益。 对于使用过功率 MOSFET 的电源...
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
分类：元器件应用 时间：2023-10-10 阅读：998 关键词：MOSFET
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1]；此外，它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3]，但不能超过物...
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
分类：元器件应用 时间：2023-10-08 阅读：677 关键词：IGBT
无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的主要区别是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔点。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔点比 Sn/Pb ...
多层陶瓷电容器 (MLCC) 被广泛视为一种成熟的组件，正在经历设计和结构的快速改造，以便有效地服务于汽车和消费领域的新兴应用。它们在更小的尺寸中具有更高的电容值，在服务于下一代汽车应用以及智能手机和可穿戴设...
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对最...
