东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。 这些简单 IC（品牌为“Thermoflagger”）中的每一个都与一个或多个 PTC（正温度系数）热敏电阻配合使用，以检测 PCB 上的过温情况，例如，可能感测多个...
分类：元器件应用 时间：2023-09-15 阅读：536 关键词：IC
MS Kennedy 提供多种电压调节器，可用于许多不同的应用。尽管每个产品线都有自己的优点，但它们也有许多共同的优点。例如，我们所有的稳压器均采用军用密封包装，并可根据军用或工业规格进行筛选。此外，大多数稳压...
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有最低的热阻，允许高通态电流密度。 然而，砷化镓有一些...
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型...
本应用笔记介绍了 IXYS 功率 MOSFET 数据表中使用的参数定义。本文件介绍了基本的额定值和特性，例如温度、能量、机械数据以及电流和电压额定值。它还简要描述了数据表中包...
分类：元器件应用 时间：2023-08-31 阅读：356 关键词：MOSFET
本应用笔记解释了 CDB150x-00 PFC 演示板中使用的升压电感与电感器尺寸的影响。本文件还介绍了电感器所需浪涌功率的计算，其中必须将其乘以恒定功率和电感系数 (CPLF)。 本应用笔记解释了 CDB150x-00 PFC 演示板...
TIA/EIA-485 和 TIA/EIA-422（也称为 RS-485 和 RS-422）是电信行业协会/电子工业联盟 (TIA/EIA) 发布的有线通信标准。它们使用差分信号在嘈杂的工业和工厂自动化环境中实...
本文讨论 Allegro 的电流传感器集成电路 (IC) 及其直流电流能力和保险丝特性，以及 50 A 至 200 A 测量能力。它还具有两种器件封装（例如 LR 和 CB 封装）、测试性能和布局指南。 Allegro MicroSystems, LLC 提供...
分类：元器件应用 时间：2023-08-23 阅读：721 关键词：电流传感器
已知最常见的部件之一和最早的电子设备之一是功率二极管。其目的是限制电流在一个方向流动的能力，同时阻止电流在另一个方向流动。市场上有功率二极管，因为它们必须允许在...
Linear Technology 的 LT1025 是另一种用于冷端补偿的单片解决方案。AD849x 包括内部放大器和 CJC 电路，而 LT1025 仅产生冷端补偿电压。该 IC 的功能框图如图 5 所示。 ...
在功率逆变器应用中使用 WBG 半导体时选择栅极电阻器的注意事项
如果设计需要出色功率效率的电子应用，请考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术。与传统的电子开关硅解决方案相比，这些新的宽带隙技术具有显着的优势。它们...
检流电阻器的基础知识 电路中的电流检测技术多种多样。其中最简单和最常见的方法之一是使用专用的检流电阻器。如下图所示，这种电阻器有两种用法。其一是图左侧的分流配...
R&S BBA300 射频放大器的软件包允许用户通过简单的 Web GUI 设置偏置点和高功率输出。BBA300-PK1 软件选项提供对放大器广泛参数集的访问，可用于各种应用，从 EMI 抗扰...
许多降压 DC/DC 转换器 IC 都采用电压模式控制算法。因此，为了在连续导通模式下稳定工作，应用电路的输出电容器通常采用高 ESR 钽电容器，原因有两个。ESR 产生的输出纹波...
BJT 仍在使用，但晶体管领域目前由 MOSFET 主导。这些是场效应晶体管 (FET)，在导电控制端子（称为栅极）和连接其他两个端子（称为源极和漏极）的半导体结构之间具有绝缘层。 “MOS”代表“金属氧化物半导体”，...
AHB 是 AMBA 2.0 版本中的新成员。添加它是为了适应高性能设计。添加的一些新功能包括分割事务、单周期总线主控切换、单时钟边沿操作以及更宽的数据总线配置（即 64/128 位）。 AHB 必须包含主设备和从设备之外的...
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
