在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。 那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都...
当 p 型半导体熔合到 n 型半导体时形成 PN 结二极管，从而在二极管结上产生势垒电压。 PN 结二极管由 p 区和 n 区组成，由存储电荷的耗尽区隔开，如果我们将 N 型和 P ...
分类：元器件应用 时间：2023-06-15 阅读：1113 关键词： PN结二极管
我们已经知道交流电有以下性质： 1.大小和方向均做周期性变化，平均值为零；有三要素：幅值、角频率、初相位； 2.描述交流电的方式有瞬时值表示法、波形图、有效值、矢量法； 3.不同的交流电之间可能同相、...
分类：元器件应用 时间：2023-08-31 阅读：224 关键词：电阻,电感,电容
MOS管损耗的8个组成部分 在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进...
PTC是Positive Temperature Coefficient 的英文字头缩写，意思是正的温度系数，泛指正温度系数的半导体材料或元器件；若其阻值随着环境温度的升高而升高；相对应的有NTC，则是Negative Temperature Coefficient的英...
一、耦合电容原理 耦合，在物理学中，指两个或两个以上的体系或运动形式之间通过各种相互作用而彼此影响。如在两个单摆中间连一根线，它们的振动就会发生耦合。耦合电容，又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容...
一、TVS二极管简介 TVS，也就是瞬态二极管，它是一种高效能保护元器件，两极若受到反向瞬态高能量时候能够以极快的速度吸收浪涌，对后级电路形成有效的保护，适合于电源产品、通讯设备、家用电器等。TVS瞬态二极...
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专...
基尔霍夫电压定律基尔霍夫电压定律指出回路中所有电压的代数和必须为零。该定律的一个实际应用是分压器，如下图所示。如果 U 1是 9V 电池，R 1是 3 欧姆电阻，R 2 是 6 欧姆电阻，则电路中流动的电流为9 v3 Ω+6 Ω=...
分类：元器件应用 时间：2023-06-07 阅读：625 关键词：分压器,分流器
假设我们正在使用一个简单的电路，该电路由一个 npn双极结型晶体管(BJT) 和几个电阻器组成，连接方式如下： 如果您施加一个足够高的电压 V IN以正向偏置基极-发射极结，电流将从输入端流过 R B，通过 BE 结，到达地...
随着工作频率的增加和电子系统变得越来越复杂和越来越小，设计人员必须密切关注电容器 ESR，因为它会影响功率使用和效率。了解预期工作条件下的 ESR 值可以极大地帮助确定特定电容器是否适合执行给定功能。一些制造...
晶体振荡器，简称晶振，是数字电路的心脏。单片机最小系统中时钟就必不可少。故而晶振几乎在所有的应用电路中都不可或缺的存在着，广泛用于汽车电子、智能家居、数码电子、安防设备、通讯设备等不同领域。 如图一...
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书籍和资料中，也将MOSFET称为四端器件，实际上...
我们常接触到，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，...
一、电容的基本原理 电容，和电感、电阻一起，是电子学三大基本无源器件；电容的功能就是以电场能的形式储存电能量。 以平行板电容器为例，简单介绍下电容的基本原理 在两块距离较近、相互平行的金属平板上...
