在本文中，我们将讨论一些不同类型的光电二极管技术以及用于制造它们的半导体（即硅）的优缺点 这是我们光电二极管系列的第四部分，它将帮助您了解有关光电二极管在光敏电路中的使用及其应用的更多信息。如果您想...
ISL58214 是一款高度集成的激光二极管驱动器，旨在支持激光束扫描 MEMS 投影仪。它采用单 5V 模拟电源供电，可直接驱动阴极接地激光器或阳极连接到高压电源的浮动激光器。I...
对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得最大利益。 对于使用过功率 MOSFET 的电源...
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、开启和关闭功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为...
分类：元器件应用 时间：2023-10-10 阅读：1166 关键词：MOSFET
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1]；此外，它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3]，但不能超过物...
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
分类：元器件应用 时间：2023-10-08 阅读：813 关键词：IGBT
无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的主要区别是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔点。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔点比 Sn/Pb ...
多层陶瓷电容器 (MLCC) 被广泛视为一种成熟的组件，正在经历设计和结构的快速改造，以便有效地服务于汽车和消费领域的新兴应用。它们在更小的尺寸中具有更高的电容值，在服务于下一代汽车应用以及智能手机和可穿戴设...
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对最...
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。 这些简单 IC（品牌为“Thermoflagger”）中的每一个都与一个或多个 PTC（正温度系数）热敏电阻配合使用，以检测 PCB 上的过温情况，例如，可能感测多个...
分类：元器件应用 时间：2023-09-15 阅读：636 关键词：IC
MS Kennedy 提供多种电压调节器，可用于许多不同的应用。尽管每个产品线都有自己的优点，但它们也有许多共同的优点。例如，我们所有的稳压器均采用军用密封包装，并可根据军用或工业规格进行筛选。此外，大多数稳压...
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有最低的热阻，允许高通态电流密度。 然而，砷化镓有一些...
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型...
