当用作光传感器时，天竺葵光电二极管的暗电流（0 勒克斯）约为 10uA，硅型二极管约为 1uA。当光照射到结上时，会形成更多的空穴/电子对，漏电流也会增加。该漏电流随着结的照度的增加而增加。 因此，光电二极管电...
引脚1。 – 接地，接地引脚将555 定时器连接到负(0v) 电源轨。 引脚 2。 – 触发器，比较器 1 的负输入。当电压降至 1/3Vcc 以下时，该引脚上的负脉冲“设置”内部触发器...
分类：元器件应用 时间：2023-06-21 阅读：1054
氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是下一代射频功率晶体管技术的一部分，它们是新型高频器件，它们是迁移率更高，允许以最小的功耗和更低的传导损耗传输高电流率。 ...
分类：元器件应用 时间：2023-06-16 阅读：718 关键词： GaN FET 器件
在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。 那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都...
当 p 型半导体熔合到 n 型半导体时形成 PN 结二极管，从而在二极管结上产生势垒电压。 PN 结二极管由 p 区和 n 区组成，由存储电荷的耗尽区隔开，如果我们将 N 型和 P ...
分类：元器件应用 时间：2023-06-15 阅读：1493 关键词： PN结二极管
我们已经知道交流电有以下性质： 1.大小和方向均做周期性变化，平均值为零；有三要素：幅值、角频率、初相位； 2.描述交流电的方式有瞬时值表示法、波形图、有效值、矢量法； 3.不同的交流电之间可能同相、...
分类：元器件应用 时间：2023-08-31 阅读：697 关键词：电阻,电感,电容
MOS管损耗的8个组成部分 在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进...
PTC是Positive Temperature Coefficient 的英文字头缩写，意思是正的温度系数，泛指正温度系数的半导体材料或元器件；若其阻值随着环境温度的升高而升高；相对应的有NTC，则是Negative Temperature Coefficient的英...
一、耦合电容原理 耦合，在物理学中，指两个或两个以上的体系或运动形式之间通过各种相互作用而彼此影响。如在两个单摆中间连一根线，它们的振动就会发生耦合。耦合电容，又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容...
一、TVS二极管简介 TVS，也就是瞬态二极管，它是一种高效能保护元器件，两极若受到反向瞬态高能量时候能够以极快的速度吸收浪涌，对后级电路形成有效的保护，适合于电源产品、通讯设备、家用电器等。TVS瞬态二极...
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专...
