螺线管是机电执行器，具有可自由移动的磁芯（称为柱塞）。一般来说，螺线管由螺旋线圈和铁制成的移动铁芯组成。 当电流通过螺线管线圈时，其内部会产生磁场。该磁场产生...
Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驱动器解决方案
新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器...
分类：元器件应用 时间：2023-07-05 阅读：1863 关键词：氮化镓（GaN）功率转换
帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下，这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通...
图 1 中的蓝色曲线显示了根据 DIN/ IEC 60751标准构建的 100 Ω 铂 RTD 的电阻-温度特性。该标准要求传感器在 0 °C 和 100 °C 时分别表现出 100 Ω 和 138.5 Ω。 RTD...
该图显示了在有源区域使用时具有正常偏置的共源配置 N 沟道 JFET 的标准布置和连接。这里，栅源电压 V GS等于栅极电源或输入电压 V G，它设置栅极和源极之间的反向偏置，而...
在 NPN 晶体管中，集电极相对于发射极正向偏置，使得基极/集电极结反向偏置。因此，在结处没有光的情况下，正常漏电流或暗电流流动非常小。当光落在基极上时，该区域会形成更多的电子/空穴对，并且该作用产生的电流...
当用作光传感器时，天竺葵光电二极管的暗电流（0 勒克斯）约为 10uA，硅型二极管约为 1uA。当光照射到结上时，会形成更多的空穴/电子对，漏电流也会增加。该漏电流随着结的照度的增加而增加。 因此，光电二极管电...
引脚1。 – 接地，接地引脚将555 定时器连接到负(0v) 电源轨。 引脚 2。 – 触发器，比较器 1 的负输入。当电压降至 1/3Vcc 以下时，该引脚上的负脉冲“设置”内部触发器...
分类：元器件应用 时间：2023-06-21 阅读：995
氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是下一代射频功率晶体管技术的一部分，它们是新型高频器件，它们是迁移率更高，允许以最小的功耗和更低的传导损耗传输高电流率。 ...
分类：元器件应用 时间：2023-06-16 阅读：685 关键词： GaN FET 器件
在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。 那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都...
当 p 型半导体熔合到 n 型半导体时形成 PN 结二极管，从而在二极管结上产生势垒电压。 PN 结二极管由 p 区和 n 区组成，由存储电荷的耗尽区隔开，如果我们将 N 型和 P ...
分类：元器件应用 时间：2023-06-15 阅读：1452 关键词： PN结二极管
