MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电...
分类：元器件应用 时间：2023-10-08 阅读：843 关键词：IGBT
无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的主要区别是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔点。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔点比 Sn/Pb ...
多层陶瓷电容器 (MLCC) 被广泛视为一种成熟的组件，正在经历设计和结构的快速改造，以便有效地服务于汽车和消费领域的新兴应用。它们在更小的尺寸中具有更高的电容值，在服务于下一代汽车应用以及智能手机和可穿戴设...
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。 电气特性定义及使用说明 功率 MOSFET 绝对最...
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。 这些简单 IC（品牌为“Thermoflagger”）中的每一个都与一个或多个 PTC（正温度系数）热敏电阻配合使用，以检测 PCB 上的过温情况，例如，可能感测多个...
分类：元器件应用 时间：2023-09-15 阅读：668 关键词：IC
MS Kennedy 提供多种电压调节器，可用于许多不同的应用。尽管每个产品线都有自己的优点，但它们也有许多共同的优点。例如，我们所有的稳压器均采用军用密封包装，并可根据军用或工业规格进行筛选。此外，大多数稳压...
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有最低的热阻，允许高通态电流密度。 然而，砷化镓有一些...
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路应用中每个部件的行为方式？是的——检查一下。半导体公司的模型通常是否真实代表了电...
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为，并通过典型...
本应用笔记介绍了 IXYS 功率 MOSFET 数据表中使用的参数定义。本文件介绍了基本的额定值和特性，例如温度、能量、机械数据以及电流和电压额定值。它还简要描述了数据表中包...
分类：元器件应用 时间：2023-08-31 阅读：570 关键词：MOSFET
本应用笔记解释了 CDB150x-00 PFC 演示板中使用的升压电感与电感器尺寸的影响。本文件还介绍了电感器所需浪涌功率的计算，其中必须将其乘以恒定功率和电感系数 (CPLF)。 本应用笔记解释了 CDB150x-00 PFC 演示板...
TIA/EIA-485 和 TIA/EIA-422（也称为 RS-485 和 RS-422）是电信行业协会/电子工业联盟 (TIA/EIA) 发布的有线通信标准。它们使用差分信号在嘈杂的工业和工厂自动化环境中实...
本文讨论 Allegro 的电流传感器集成电路 (IC) 及其直流电流能力和保险丝特性，以及 50 A 至 200 A 测量能力。它还具有两种器件封装（例如 LR 和 CB 封装）、测试性能和布局指南。 Allegro MicroSystems, LLC 提供...
分类：元器件应用 时间：2023-08-23 阅读：895 关键词：电流传感器
已知最常见的部件之一和最早的电子设备之一是功率二极管。其目的是限制电流在一个方向流动的能力，同时阻止电流在另一个方向流动。市场上有功率二极管，因为它们必须允许在...
Linear Technology 的 LT1025 是另一种用于冷端补偿的单片解决方案。AD849x 包括内部放大器和 CJC 电路，而 LT1025 仅产生冷端补偿电压。该 IC 的功能框图如图 5 所示。 ...
在功率逆变器应用中使用 WBG 半导体时选择栅极电阻器的注意事项
如果设计需要出色功率效率的电子应用，请考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术。与传统的电子开关硅解决方案相比，这些新的宽带隙技术具有显着的优势。它们...
