元器件应用-技术资料-维库电子市场网

一、电容降压原理电容降压的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流...

分类：元器件应用时间：2023-05-17 阅读：436 关键词：电容

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器...

分类：元器件应用时间：2023-05-16 阅读：1283 关键词： MOSFET

WPG - 大联大推出基于ST产品的22KW OBC结合3KW DC/DC汽车充电器方案

致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚集团推出与意法半导体（ST）共同开发的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22KW OBC结合3KW DC/DC直流输出汽车充电器方案。图示1-大联大友...

分类：元器件应用时间：2023-05-16 阅读：1134 关键词：DC/DC汽车充电器

细说MOS管的静电击穿

其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，电压型及功率...

分类：元器件应用时间：2023-05-16 阅读：568 关键词：MOS管

IGBT的功能特点及原理介绍

所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能...

分类：元器件应用时间：2023-05-15 阅读：808 关键词：IGBT

基于PID调节器的压力控制系统

基于人工智能算法的压力控制系统，通过智能PID调节器实现对水箱主管路压力的动态控制。主控制对象为设备下水箱主管路中的瞬时压力，实验过程以水作为被控介质，压力变送器作变送单元，PID调节器作为调节单元，变频器...

分类：元器件应用时间：2023-05-12 阅读：972 关键词：PID调节器

整流滤波一口气讲完

一般直流稳压电源都使用220伏市电作为电源，经过变压、整流、滤波后输送给稳压电路进行稳压，最终成为稳定的直流电源。这个过程中的变压、整流、滤波等电路可以看作直流稳压电源的基础电路，没有这些电路对市电的前...

分类：元器件应用时间：2023-05-12 阅读：580 关键词：整流滤波

肖特基二极管的内部结构和伏安特性

肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备...

分类：元器件应用时间：2023-05-12 阅读：1084 关键词：肖特基二极管

十种电感的特性

电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多...

分类：元器件应用时间：2023-05-11 阅读：806 关键词：电感

电阻的串联、并联及混联电路作用与公式

将两个或两个以上电阻依次连接起来，中间无分支的连接方式叫做串联。如图。电阻串联电路具有以下特点：（1）流过每个电阻的电流都相等，即电流强度处处相等。（2）电路两端的总电压等于各电阻两端的电压之和。（3） ...

分类：元器件应用时间：2023-05-11 阅读：618 关键词：电阻

二极管组成的各种整流电路介绍

电力网供给用户的是交流电,而各种无线电装置需要用直流电。整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。下面介绍利用晶体二极管组成的各种整流电路。...

分类：元器件应用时间：2023-05-11 阅读：532 关键词：二极管

开关管MOSFET的功耗分析及优化

一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的E...

分类：元器件应用时间：2023-05-10 阅读：533 关键词：开关管MOSFET

功率MOS管损坏的典型案例

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由...

分类：元器件应用时间：2023-05-10 阅读：550 关键词：MOS管

5种特殊三极管的检测详解

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方...

分类：元器件应用时间：2023-05-10 阅读：673 关键词：三极管

自恢复保险丝PTC在电气类产品的过流保护详解

PTC是Positive Temperature Coefficient 的英文字头缩写，意思是正的温度系数，泛指正温度系数的半导体材料或元器件；若其阻值随着环境温度的升高而升高；相对应的有NTC，则是Negative Temperature Coefficient的英...

分类：元器件应用时间：2023-05-10 阅读：860 关键词：自恢复保险丝

TVS二极管防浪涌部分特性解析

1:Pppm最大峰值脉冲功率 600W，通过10/1000us波形测试得到(Single Die)。这个参数是TVS瞬间承受的最大功率。如图可知功率值等于最大钳位电压Vc和最大峰值脉冲电流Ipp的乘积。2:Vr最大反向工作电压，无操作即可施加到...

分类：元器件应用时间：2023-05-09 阅读：777 关键词：TVS二极管

当二极管根本不够好时：超级二极管

这篇文章是 AAC 的模拟电路集的一部分，讨论了一个有趣的电路，其中运算放大器和普通二极管一起工作以创建超级二极管。二极管是我们最早了解的电子元件之一。它们的重要性可能不会立即变得清晰——但一段时间后，我...

分类：元器件应用时间：2023-05-09 阅读：924 关键词：二极管

电源工程师必须要了解的MOS管GS波形

对于咱们电源工程师来讲，很多时候都在波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。测试MOS管GS波形时，有时会看到下图中的这种波形，...

分类：元器件应用时间：2023-05-08 阅读：634 关键词：MOS管

IGBT模块是如何失效的？

1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，最后用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构...

分类：元器件应用时间：2023-05-08 阅读：469 关键词：IGBT

电容降压是怎么一回事？

一、电容降压原理电容降压的工作原理是利用电容在一定的交流信号频率下产生的容抗来限制最大工作电流。例如，在50Hz的工频条件下，一个1uF的电容所产生的容抗约为3180欧姆。当220V的交流电压加在电容器的两端，则流...

分类：元器件应用时间：2023-05-08 阅读：595 关键词：电容

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