MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为一种核心的电压控制型半导体器件，凭借开关速度快、驱动功率小、功耗低等优势，广泛应用于电源转换、电机驱动、电子开关等领域。根据导电沟道的载流子类型，MOSFET主要...
分类：基础电子 时间：2026-01-14 阅读：349
在MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）中，N沟道和P沟道、增强型与耗尽型的区分是理解其工作原理的关键。以下是详细区分方法，特别是针对增强型MOSFET的判定：1. 沟道类型（N沟道 vs P沟道）1.1 材料与载流子特...
一、核心导通原理P沟道MOS管（PMOS）的导通本质上是通过栅极施加负电压来形成导电沟道。当栅源电压 VGSVGS 低于阈值电压 VGS(th)VGS(th)（典型值-0.5V至-5V）时，栅极下方的P型半导体中会感应出空穴导电通道，实现源...
MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件，是不同电子电路中必不可少的元件。一般来说，这些器件根据其默认状态下是否有相应的通道，分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两类。 同样，增强型MOSFET分为P沟...
MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点： 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。 MOS...
Vishay推出汽车级80V P沟道MOSFET，以提高系统能效和功率密度
器件采用欧翼引线结构PowerPAK?SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101 宾夕法尼亚、MALVERN—2021年4月7日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出通过AEC-Q101 、 先进的p沟道80VT...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2021-04-07 阅读：487 关键词：Vishay推出汽车级80V P沟道MOSFET，以提高系统能效和功率密度Vishay
Vishay推出新款通过AEC-Q101的30 V和40 V P沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK? SO-8L封装，有效提升板级可靠性。SQJ407EP和...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2019-03-14 阅读：2532 关键词：Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET P沟道,MOSFET
Fairchild推出WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench?工艺技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带
分类：元器件应用 时间：2009-09-26 阅读：3378 关键词：Fairchild推出WL-CSP封装20V P沟道MOSFETMOSFET
Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款业界导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。新型SiB457EDK采用了Trenc
分类：元器件应用 时间：2009-09-16 阅读：3542 关键词：Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFETMOSFET电阻
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench工艺技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来
分类：元器件应用 时间：2009-08-21 阅读：2750 关键词：飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFETMOSFET
表列出了一些P沟道结型场效应管的主要特性参数。 一些P沟道结型开关场效应管主要特性参数
分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：2596 关键词：P沟道结型开关场效应管
飞兆40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141出炉
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出40VP沟道PowerTrenchMOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的
分类：电源技术 时间：2008-03-06 阅读：1681 关键词：飞兆40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141出炉
近日，NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(
分类：模拟技术 时间：2008-02-01 阅读：1667 关键词：NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品
NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40
分类：电源技术 时间：2008-01-25 阅读：1548 关键词：NEC电子（欧洲）推出新型P沟道功率MOSFET产品
Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装，极大地减少了有源箝位设计的尺寸。以往的相关设计一般都采用体积非常大的DPAK和SO8封装。两款率先问世的微型器件包括5引...
分类：电源技术 时间：2007-12-07 阅读：2395 关键词：Zetex新型高压P沟道MOSFET实现更小的有源箝位SOT223ZXMP2120G4ZXMP2120E5SOT23
飞兆半导体公司(Fairchild)推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压(<20V)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、...
分类：元器件应用 时间：2007-12-04 阅读：1537 关键词：Fairchild推出P沟道MOSFET器件FDZ191P
Vishay的子公司Siliconixincorporated推出一系列新型-150V和-200VP沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源钳位配置的小型解决方案。这些新型P沟道功率MOSFET基于Siliconix的先进P沟道TrenchFE
分类：元器件应用 时间：2007-11-26 阅读：1963 关键词：Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2ΩSOT-23SI7439DPSI7431DP
专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)，日前宣布推出一款P沟道限流型场效应管(MOSFET)功率开关芯片——AAT4620，适用于个人电脑(PC)调制解调器(modem)卡的高端负...
分类：其它 时间：2007-11-16 阅读：1571 关键词：研诺推出P沟道限流型MOSFET功率开关芯片AAT4620
NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款...
分类：汽车电子/智能驾驶 时间：2007-07-31 阅读：1830 关键词：NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品TO-252TO-263
