MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为一种核心的电压控制型半导体器件，凭借开关速度快、驱动功率小、功耗低等优势，广泛应用于电源转换、电机驱动、电子开关等领域。根据导电沟道的载流子类型，MOSFET主要...
分类：基础电子 时间：2026-01-14 阅读：461
在MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）中，N沟道和P沟道、增强型与耗尽型的区分是理解其工作原理的关键。以下是详细区分方法，特别是针对增强型MOSFET的判定：1. 沟道类型（N沟道 vs P沟道）1.1 材料与载流子特...
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信...
MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点： 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。 MOS...
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS 的N...
Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路
器件专门用于标准栅极驱动电路，栅极电荷低至22.5 nC，QOSS为34.2 nC，采用PowerPAK? 1212-8S封装。 宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推...
时间：2019-08-13 阅读：1237 关键词：MOSFET
Vishay推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的60 V TrenchFET 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功...
分类：元器件应用 时间：2019-03-11 阅读：1114 关键词：Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFETMOSFET
8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mmx2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装，具有N沟道器件中的导通电阻。新
分类：基础电子 时间：2012-07-20 阅读：2524 关键词：8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJMOSFET
描述 LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的...
分类：模拟技术 时间：2011-02-21 阅读：4481 关键词：LTC4446：N沟道MOSFET驱动器LTC4446MOSFET驱动器
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用...
分类：电源技术 时间：2010-04-01 阅读：1689 关键词：飞兆N沟道WL-CSP MOSFET延长便携应用电池寿命FDZ192NZFDZ372NZ
飞兆半N沟道WL-CSP MOSFET能在便携应用中延长电池寿命
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用...
分类：电源技术 时间：2010-03-18 阅读：1914 关键词：飞兆半N沟道WL-CSP MOSFET能在便携应用中延长电池寿命FDZ192NZFDZ372NZ
Linear推出高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器LTC4446
凌力尔特公司(Linear)推出高频、高输入电源电压(100V)MOSFET驱动器LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器与功率MOSFET和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器一起，可组成一个...
分类：其它 时间：2008-06-13 阅读：1969 关键词：Linear推出高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器LTC4446MOSFET驱动器LTC4446
VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数
分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：2655 关键词：VN系列N沟道V-MOS功率场效应管
表列出了一些N沟道结型开关场效应管的主要特性参数。 一些N沟道结型开关场效应管主要特性参数
分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：2189 关键词：N沟道结型开关场效应管
CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。 CS系列结型场效应管主要特性参数
分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：3250 关键词：CS系列N沟道结型场效应管
全球领先的电源转换解决方案供应商安森美半导体（ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，将推出NCP4330——后稳压、双N沟道MOSFET驱动器，能提高常用于ATX和高功率开关电源（SMPS）的正激转换器的效率...
分类：其它 时间：2007-12-18 阅读：1450 关键词：安森美半导体将推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆
分类：光电显示/LED照明 时间：2007-12-14 阅读：1775 关键词：飞兆半导体推出N沟道MOSFET 为等离子体显示板优化空间FDB2710FDB2614TO-263
