N沟道MOSFET技术资料-维库电子市场网

描述　　LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的...

分类：模拟技术时间：2011-02-21 阅读：4258 关键词：MOSFE MOSFET 驱动驱动器

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出具有业内导通电阻的新款N沟道MOSFET器件---SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这

分类：元器件应用时间：2009-07-29 阅读：2322 关键词：MOSFE MOSFET Vishay 电阻

全球领先的电源转换解决方案供应商安森美半导体（ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，将推出NCP4330——后稳压、双N沟道MOSFET驱动器，能提高常用于ATX和高功率开关电源（SMPS）的正激转换器的效率...

分类：其它时间：2007-12-18 阅读：1332 关键词：MOSFE MOSFET 半导体驱动驱动器

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆

分类：光电显示/LED照明时间：2007-12-14 阅读：1591 关键词：MOSFE MOSFET 半导体

国际整流器公司(InternationalRectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFETMOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7.

分类：元器件应用时间：2007-12-07 阅读：1405 关键词：MOSFE MOSFET MOSFET器件

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7.

分类：元器件应用时间：2007-12-04 阅读：1206 关键词：MOSFE MOSFET MOSFET器件

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利

分类：电源技术时间：2007-12-03 阅读：1364 关键词：ESD MOSFE MOSFET 电压

凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用...

分类：电源技术时间：2007-11-28 阅读：1299 关键词：MOSFE MOSFET 驱动驱动器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成...

分类：电源技术时间：2007-11-28 阅读：1826 关键词：MOSFE MOSFET 驱动驱动器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成...

分类：其它时间：2007-11-28 阅读：1435 关键词：MOSFE MOSFET 驱动驱动器

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的架构。利用飞兆半导...

分类：电源技术时间：2007-11-26 阅读：950 关键词：ESD MOSFE MOSFET

国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7...

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV 的ESD (HBM) 电压保护，较市场现有器件高出90%。 FDS881XNZ系列支持用于...

分类：电源技术时间：2007-11-19 阅读：1204 关键词：MOSFE MOSFET 半导体

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极...

分类：元器件应用时间：2007-11-16 阅读：1362 关键词：MOSFE MOSFET 二极管肖特基二极管

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构

分类：元器件应用时间：2007-09-30 阅读：1457 关键词：MOSFE MOSFET

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