功率晶体管

GaN 功率晶体管的动态导通电阻测量技术

GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为  虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行,但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...

分类:电子测量 时间:2023-12-28 阅读:1152 关键词:GaN功率晶体管

功率晶体管应用的三个维度

帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下,这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通...

分类:元器件应用 时间:2023-07-05 阅读:869 关键词:功率晶体管

EPC新推350 V氮化镓功率晶体管,比等效硅器件小20倍且成本更低

氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计,在极小的芯片级封装中,实现350 V、80 mΩzui大RDS(on)和26 A 峰值电流,是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和LED 照明的理想器件。 宜...

分类:元器件应用 时间:2022-04-11 阅读:636 关键词:EPC

意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管

意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新 近新增多款产品,该产品家族有三个不同的产品系列,均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。  STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻,封装芯片可处...

分类:元器件应用 时间:2021-08-13 阅读:354 关键词:半导体晶体晶体管射频

为增强型GaN功率晶体管匹配门极驱动器

氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动...

时间:2019-11-08 阅读:411 关键词:驱动器

宜普电源转换公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率的氮化镓(eGaN®)功率晶体管

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为25 m?及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。   要求更高的效率及更高的功率密度的...

分类:元器件应用 时间:2018-09-14 阅读:1035 关键词:电源晶体晶体管

英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管

导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200MHz~1400MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件,降低系统成本,提高可...

分类:电源技术 时间:2014-04-11 阅读:1452 关键词:晶体晶体管射频

ST新增SD2931-12MR和SD4933MR两款防潮RF功率晶体管

导读:近日,意法半导体(以下简称“ST”)新增两款防潮RF功率晶体管SD2931-12MR和SD4933MR.此两款新器件是在以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性的情况下而推出,并且成为了高成本效益的功率射频解决方案...

分类:物联网技术 时间:2013-12-30 阅读:2592 关键词:晶体晶体管

飞思卡尔推出AFT27S0系列两款全新射频功率晶体管

导读:日前,飞思卡尔半导体发布了AFT27S006N和AFT27S010N两款全新的射频功率晶体管,此两款新器件的推出在满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求的同时,还能应对降低成本的持续压力,完美的成为Airfast射频功率解...

分类:安防监控 时间:2013-12-12 阅读:2092 关键词:晶体晶体管射频

验证射频功率晶体管的耐用性

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩...

分类:基础电子 时间:2012-05-25 阅读:2355 关键词:晶体晶体管射频

开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护

摘要: 本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因, 并结合开关电源的设计及生产实际, 介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。  随着电子技术的不断发展和新...

分类:电源技术 时间:2011-10-19 阅读:5868 关键词:电源晶体晶体管开关开关电源

飞思卡尔扩大RF功率晶体管产品阵容

随着基于LDMOS(laterally-diffusedmetaloxidesemiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)技术的三个高性能RF功率晶体管的推出,飞思卡尔(Freescale)半导体扩展了它在GSMEDGE无线网络方面的投入。

分类:物联网技术 时间:2009-06-16 阅读:2940 关键词:晶体晶体管

飞思卡尔首推L-Band雷达用50V LDMOS功率晶体管

飞思卡尔半导体业已推出了全球首款用于L-Band(L波段)雷达应用的50VLDMOS功率晶体管产品线,从而继续推动了大功率射频(RF)技术的发展。该产品线是各种大功率RF应用的理想选择,包括:空中交通管理和长距离气象雷...

分类:元器件应用 时间:2008-08-22 阅读:2398 关键词:晶体晶体管雷达

英飞凌发布用于700MHz频段的全新射频功率晶体管系列

英飞凌(Infineon)在近期举行的IEEEMTT-S国际微波研讨会上,发布了专门面向700MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G(第四代)蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务,其中...

分类:物联网技术 时间:2008-08-13 阅读:2536 关键词:晶体晶体管射频

飞思卡尔为L波段雷达推出50V LDMOS功率晶体管

飞思卡尔半导体推出适用于L波段雷达应用的50VLDMOSRF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用,包括空中交通管理和长射程气象雷达。RF产品线包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驱动。当...

分类:物联网技术 时间:2008-06-10 阅读:2467 关键词:晶体晶体管雷达

飞思卡尔50V LDMOS RF功率晶体管输出功率相较高出50%

飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,输出功率比与之竞争性UHFTV广播解决方案高50%。MRF6VP3450H器件展示出业界领先的RF品质参数,是同类UHF应用中最高输出功率的,同时它还能够降低系统级...

分类:电源技术 时间:2008-06-03 阅读:1617 关键词:晶体晶体管

万用表判断小功率晶体管是高频管还是低频管

根据我国晶体管命名方法确定,截止频率大于等于3MHz的为高频管,小于3MHz的为低频管。在晶体管的型号脱落的情况下,可通过测量晶体管发射结反向击穿电压V(BR)ebo。的方法,区分高频小功率晶体管和低频小功率晶体管。...

分类:元器件应用 时间:2008-04-18 阅读:2201 关键词:晶体晶体管万用表

瑞萨科技发布硅锗功率晶体管应用于无线LAN终端等功率放大器

Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界最高水平性能,可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品,R...

分类:通信与网络 时间:2007-12-15 阅读:1319 关键词:放大器功率放大器晶体晶体管瑞萨无线

Freescale用于WiMAX基站的RF功率晶体管

FREESCALE采用它的第七代高压(HV7)RFLDMOS技术,推出工作在3.5GHz波段的WiMAX基站的RF功率晶体管.这是第一个采用这种技术(RFLDCMOS)制造的功率晶体管,其它制造商从未解决过这样的问题.FREESCALE已能提供12

分类:物联网技术 时间:2007-12-15 阅读:2366 关键词:晶体晶体管

对抗LCD/PDP竞争,ST新型功率晶体管打造“超薄”CRT

意法半导体(ST)日前推出一系列高压功率双极晶体管,代号为HD1的系列产品专为超薄高清CRT(阴极射线管)显示器设计,能够满足超薄高清CRT对水平偏转应用的苛刻要求。传统的CRT显示器目前被占用空间小的基于LCD(液晶显示...

分类:其它 时间:2007-12-11 阅读:1565 关键词:晶体晶体管

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