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  • NTMD6N03R2G的技术参数

    产品型号:ntmd6n03r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):32最大漏极电流id(on)(a):6通道极性:n沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:30 v, 6 a,功率mosfet价格/1片(套):￥4.39 来源:xiangxueqin

  • NTMD6N03R2G的技术参数

    产品型号:NTMD6N03R2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32
    最大漏极电流Id(on)(A):6
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
    描述:30 V, 6 A,功率MOSFET
    价格/1片(套):￥4.39


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ntmd6n03r2g替代型号

NTMD6N02R2G NTMD4N03R2G NTMD3P03R2G NTMD2C02R2SG NTMD2C02R2G NTLTD7900ZR2G NTLTD7900ZR2 NTLJS3113PT1G NTLJF4156NT1G NTLJF3117PT1G

NTMD6P02R2G NTMFS4108N NTMFS4108NT1G NTMFS4119NT1G NTMFS4120NT1G NTMFS4121NT1G NTMFS4122NT1G NTMFS4701NT1G NTMFS4707NT1G NTMFS4708NT1G

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