MOSFET器件技术资料-维库电子市场网

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7.

分类：元器件应用时间：2007-12-04 阅读：1207 关键词：MOSFE MOSFET MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild)推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压(<20V)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、...

分类：元器件应用时间：2007-12-04 阅读：1403 关键词：MOSFE MOSFET MOSFET器件

国际整流器公司(IR)近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFETMOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电(PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准，例如以太网交换...

分类：其它时间：2007-11-29 阅读：1234 关键词：MOSFE MOSFET MOSFET器件

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计...

分类：其它时间：2007-11-23 阅读：1504 关键词：MOSFE MOSFET MOSFET器件半导体

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计...

分类：其它时间：2007-09-26 阅读：1706 关键词：MOSFE MOSFET MOSFET器件

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