元器件应用

线性稳压器产生低噪声电压

线性稳压器在滤波开关稳压器产生的电压方面非常出色。开关稳压器始终具有一定量的输出电压纹波。在许多处理非常小信号的应用中,这种纹波会造成干扰。无源元件通常用于滤波开关稳压器的输出电压,但LC滤波器等无源滤...

分类:元器件应用 时间:2022-12-21 阅读:673 关键词:线性稳压器

肖特基二极管的结构(全面了解二极管)

一、什么是肖特基二极管 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管,简称SBD,它是一种低功耗、超高速半导体器件,它是一种热载流子二极管。 二、肖特基二极管结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区...

分类:元器件应用 时间:2022-12-20 阅读:1042 关键词:肖特基二极管

六个MOS设计选型的基本原则

MOS设计选型的六个基本原则 1电压应力 在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即:VD...

分类:元器件应用 时间:2022-12-20 阅读:633 关键词:MOS

MOS管输入电阻很高

一、MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了? MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易...

分类:元器件应用 时间:2022-12-20 阅读:589 关键词:MOS管

eGaN FET 可实现超过 4 kW/in.3 的功率密度,用于 48 V 至 12 V 电源转换

计算和数据中心中不断增长的计算能力和电子设备的小型化给 48-V 电力传输和转换系统带来越来越大的压力。高效率和高功率密度的转换器可以降低系统级的功率损耗,同时允许更...

分类:元器件应用 时间:2022-12-20 阅读:592 关键词:LLC 谐振转换器

一文详解二极管正向偏置

正向偏置二极管传导电流并在其两端降低一个小电压,使大部分电池电压在灯两端下降。如果电池的极性接反,二极管会反向偏置,并降低所有电池电压,不给灯留下任何电压。如果我们认为二极管是一个自驱动开关(在正向偏...

分类:元器件应用 时间:2022-12-19 阅读:1156 关键词:二极管

国星光电NS62m功率模块上线

近日,国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术,全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模块新品”,可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。 ...

分类:元器件应用 时间:2022-12-19 阅读:432 关键词:CAN总线接口

双有源桥DC-DC变换器二次纹波的抑制策略研究

三级式电力电子变压器在传输过程中,输入/输出级必定会产生二次纹波,降低电压质量,影响供电可靠性。现提出了一种新的二次纹波消除方法,闭环控制策略上采用PIR控制,使得...

分类:元器件应用 时间:2022-12-19 阅读:483 关键词:DC-DC变换器

三极管是怎么放大电流的?

在一片硅片上制造三片掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。中间的P区叫基区,P区很薄且掺杂浓度很低,位于左边的N区叫作发射区,发射区掺杂浓度很高。位于右边的N区叫集电区,集电区的面积很大。由它们引出的...

分类:元器件应用 时间:2022-12-16 阅读:717 关键词:三极管

光伏逆变器的基础资料

组件发展趋势 当前组件技术不断的更新迭代,如高效PERC,黑硅、双玻、半片、叠瓦等;硅片方面,硅片的尺寸也不断的增大,从156发展到182、210,硅片面积分别增加了37%和83%。 与之对应的182组件功率超过540W, ...

分类:元器件应用 时间:2022-12-16 阅读:710 关键词:逆变器

肖特基二极管技术与结构

肖特基二极管由金属到N结构成,而不是由PN半导体结构成。肖特基二极管也称为热载流子二极管,其特点是开关时间快(反向恢复时间短)、正向压降低(金属硅结通常为0.25V至0.4V)和低结电容。 7.1肖特基二极管技术与结...

分类:元器件应用 时间:2022-12-16 阅读:659 关键词:肖特基二极管

LC低通滤波器原理及设计方法

一、LC低通滤波器 前面提到过RC滤波器那么自然而然就存在LC滤波器,在汽车的电子控制器中几乎每个控制器都会用到LC滤波器,特别是在电源输入的地方可以获得更好的EMI效...

分类:元器件应用 时间:2022-12-16 阅读:1442 关键词:滤波器

MOS管自举电容工作原理

自举电路 自举电路也叫升压电路,是利用自举升压二极管,自举升压电容等电子元件,使电容放电电压和电源电压叠加,从而使电压升高.有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。 MOS管自举电路原理 举个简单的...

分类:元器件应用 时间:2022-12-16 阅读:589 关键词:MOS管

通过转向1700V SiC MOSFET,无需考虑功率转换中的权衡问题

高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得,也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的...

分类:元器件应用 时间:2022-12-16 阅读:533 关键词:MOSFET

MLCC陶瓷电容使用问题盘点

MLCC是目前国际上用量最大、发展最快的片式元件之一。随着移动通信设备的发展,对高性能MLCC的需求与日俱增,MLCC不断向微型化、高叠层、大容量化、高可靠性和低成本化方向发展,这对原材料、工艺设备及工艺技术提出...

分类:元器件应用 时间:2022-12-15 阅读:740 关键词:MLCC陶瓷电容

压敏电阻的工作原理

首先我们需要回答一个问题,为什么需要压敏电阻。压敏电阻,顾名思义,对电压很敏感的电阻;中文这个“敏感”对应到电路中,应该就是一个非线性的变化:当电压达到一定的数值的时候,器件的阻抗呈现出剧烈的变化,这...

分类:元器件应用 时间:2022-12-15 阅读:933 关键词:压敏电阻

有种逆天的电容,一起来看看

我们都知道,理想状态下电容的阻抗是随频率的增加而逐渐减小的。但在实际运用中,由于电容器存在等效电感(ESL)以及在电路板上存在一定的安装电感,当频率上升到一个特定值后电容的阻抗将不再减小,反而是逐渐增加...

分类:元器件应用 时间:2022-12-14 阅读:457 关键词:电容

东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和东芝株式会社(Toshiba Corporation)(统称“东芝”)已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该...

分类:元器件应用 时间:2022-12-14 阅读:782 关键词:二极管

MOS管老炸,是否是驱动问题?

三端双向可控硅(triacs)是用于交流应用的开关,坚固耐用并且易于操作,因此从咖啡机到冰箱均可见其踪影。高换向三端双向可控硅开关也称为Alternistor,具有改良后的换向特...

分类:元器件应用 时间:2022-12-12 阅读:641 关键词:MOS管

电子元器件封装的几个小知识(封装的8个小知识)

封装类型 贴片元器件封装形式是半导体器件的一种封装形式 SMT 所涉及的零件种类繁多,样式各异,有许多已经形成了业界通用的标准,这主要是一些芯片电容电阻等等 有许多仍在经历着不断的变化,尤其是 IC 类...

分类:元器件应用 时间:2022-12-12 阅读:782 关键词:元器件

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