想要将50V的直流电压降到40V，有什么办法？ 这属于电源设计部分内容，DCDC直流降压型电压变换，输入电压为50V，输出40V，输入与输出之间的压差为10V，压降有点高，若采用线性的方式降压，负载电流不能太高，一般5...
家用LED灯的品牌多，原理很多，由于为止该故障LED灯的原理图，也没有内部结构照片，无法定性分析，下面对常见的LED灯原理及可能出现的故障进行分析。提问者提到250V的电容，其实这“250V”指的是电容的耐压值，测得...
分类：光电显示/LED照明 时间：2023-04-18 阅读：404 关键词：LED灯
Pan Jit - 强茂推出全新600V和650V Super Junction MOSFET 系列产品
应用于Power Supply Unit (PSU)系统且拥有高效率和高质量的性能 强茂新推出第一代Super Junction MOSFET凭借能够提供简单高效的设计解决方案的特性，可成为各应用中PSU系统以及各种拓扑结构的 DC-DC 转换器、功率...
ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
~EcoGaNdi一波产品“GNE10xxTB系列”将有助于基站和数据中心等应用实现更低功耗和小型化~ quan球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量产体制...
2020年2月，碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET，带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的？下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里？...
东芝推出面向电压谐振电路1350V分立IGBT，有助于降低设备功耗
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“GT20N135SRA”，这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。 东芝推出面向电压谐振电...
时间：2019-12-24 阅读：793 关键词：东芝
Littelfuse新推250V电信PPTC产品系列，双通道PPTC封装尺寸缩小50％
通过将两个电信PPTC纳入更小的表面贴装封装尺寸中节省电路板空间。 中国，北京，2019年10月28日讯 - -全球领先的电路保护、电源控制和传感技术制造商Littelfuse， Inc.（纳斯达克股票代码：LFUS）今日宣布推出新的2...
分类：元器件应用 时间：2019-10-29 阅读：471 关键词：LittelfusePPTC产品
Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理
Littelfuse, Inc.今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。 它们可...
分类：元器件应用 时间：2019-03-07 阅读：1003 关键词：Littelfuse二极管肖特基二极管
Infineon - 650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现功率密度
2018年6月1日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组...
ROHM开发出业界高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT “RGTV/RGW系列”
知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速开关版）”，共21种机型。这些产品非常适用于UPS（不间断电源）、焊接...
意法半导体（STMicroelectronics,简称ST的超结 （super-junction） 功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求，同时提供更高可靠性的且...
IR推出多款可靠的650V IRGP47xx器件 扩充IGBT系列
功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以扩充绝缘栅双极晶体管（IGBT）系列。新产品旨...
GB 24906-2010普通照明用50V以上自镇流LED灯安全要求
本标准的全部技术内容为强制性。 本标准参考了LEC62560《普通照明用50V以上自镇流LED灯 安全要求》（英文版）。 本标准由中国轻工业联合会提出。
1 引言 2003年，英飞凌公司提出了使用沟槽和场截止技术的600V IGBT3器件[1]，该产品目前仍然是IGBT器件特性的标准。然而，这种600V IGBT3 主要适合小功率应用或者杂散电...
一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件
2011年1月19日，英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolM...
Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列
Cree公司日前宣布推出最新Z-Rec650V结型肖特基势垒(JBS)二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型JBS二极管的阻断电压为650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能...
英飞凌推出全新650V CoolMOS C6/E6高压功率MOSFET
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650VCoolMOSC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样...
Infineon推出性能的200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌 推出200V和250V OptiMOS系列器件，进一步扩大OptiMOS产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借同类器件中...
分类：其它 时间：2010-01-28 阅读：2929
