CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe，而NOMS要加入SiC？
在先进CMOS制程迭代过程中，当工艺节点迈入90nm及以下，单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭，短沟道效应、载流子迁移率衰减、器件漏电升高等问题持续凸显。为了在不过度增加工艺复杂度与功耗的前提下提升...
SiC 器件准静态 CV 测量新思路：恒流激励法提升测试稳定性并解析界面电荷
电容电压（CV）测量作为半导体材料与器件工艺表征的关键手段，在 MOS 器件分析领域应用广泛。通过 CV 测试数据，能够提取诸如氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命...
在当今复杂且对精度要求极高的电子系统中，电源管理集成电路（PMIC）扮演着至关重要的角色。早期的 PMIC 主要功能是监控各电源轨电压，确保其维持在额定公差范围内，同时防...
SiC 器件准静态 C-V 测量的新路径：用施加电流法提升稳定性并分析界面电荷
在半导体材料和器件制造过程的分析中，电容 - 电压（C - V）测量是一种极为重要的手段，尤其在表征金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）方面发挥着关键作用。从 C - V 数据中，我...
Pickering 推出 LXI 大电流开关系列，支持最高 80A、300V 信号
Pickering Interfaces 宣布推出 60-191 LXI 大电流与感测 SPST 开关系列。作为 Pickering 迄今为止电流容量最高的开关产品，该全新系列可切换最高 80A、300V 的信号，同时...
时间：2026-08-07 阅读：365 关键词： 大电流开关系列
深度解析：LED 照明领域无电感高压线性驱动 IC - WD10 - 3111
在 LED 照明技术不断发展的当下，如何实现高效、稳定且低成本的驱动方案成为了行业关注的焦点。高压线性 LED 驱动 IC 凭借其独特的优势，在 LED 照明领域得到了广泛应用。...
分类：光电显示/LED照明 时间：2026-08-07 阅读：390 关键词：LED 照明
常见总线：IIC、IIS、SPI、UART、JTAG、CAN、SDIO、GPIO
在电子系统中，总线是连接各个部件的重要桥梁，它负责在不同设备之间传输数据和控制信号。常见的总线类型有 IIC、IIS、SPI、UART、JTAG、CAN、SDIO、GPIO 等，它们各自具有独特的特点和应用场景。深入了解这些总线的...
时间：2026-08-04 阅读：202 关键词：总线
SiC 功率模块内置 NTC 温度传感器核心技术与工程应用详解
在新能源汽车电控、光伏逆变器、储能变流器等大功率电力电子系统蓬勃发展的当下，SiC 功率模块的结温监测成为了保障器件长期可靠运行、充分发挥碳化硅高频性能的核心环节。而内置在模块内部的 NTC 热敏电阻，作为目...
深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术
在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 ...
分类：基础电子 时间：2026-07-28 阅读：207 关键词： SiC MOSFET
IGBT 与 SiC MOSFET 双脉冲测试设备性能大不同
双脉冲测试作为功率半导体动态特性表征的 “黄金标准”，在半导体器件的测试领域有着举足轻重的地位。它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲以及反向恢复参数等关键指标，而这些测试结果对于器件选型、驱...
分类：电子测量 时间：2026-07-27 阅读：246 关键词：IGBT SiC MOSFET
详解 IGBT 与 SiC MOSFET 两类器件双脉冲测试的设备性能差异
双脉冲测试在功率半导体动态特性表征领域堪称 “黄金标准”，它能够精准测量开关损耗、dv/dt、di/dt、电压过冲及反向恢复参数等重要指标。这些测试结果对于器件选型、驱动...
分类：电子测量 时间：2026-07-24 阅读：348 关键词： IGBTSiC MOSFET
安森美详解 Cascode SiC JFET 在 LLC 拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法
在电力电子领域，共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（Cascode SiC JFET，简称 CJFET）凭借其高耐压、低导通损耗、开关速度快以及栅极电荷低（0 - 12 V 栅极驱动）等显著优势，在 LLC 谐振变换器中展现出了巨大的应用潜...
LED 数显屏驱动芯片 2 线接口 VK1650 SOP16 抗噪 / 抗干扰数码管显示驱动 IC
在电子设备的显示领域，LED 数显屏的应用极为广泛，而驱动芯片则是保障其稳定显示的关键部件。VK1650 作为一款带键盘扫描电路接口的 LED 驱动控制专用芯片，在市场上备受关...
分类：光电显示/LED照明 时间：2026-07-10 阅读：561 关键词：LED
MPS推出1700V SiC反激控制器HF1070，为高压辅助电源带来高效新方案
MPS芯源系统（NASDAQ：MPWR）近日推出新一代高压离线电源解决方案——HF1070。该器件是一款高度集成的连续导通模式（CCM）/准谐振（QR）反激式稳压控制器，内置1700V SiC功率器件，支持高达1080V直流输入，为三相智...
埃赛力达推出OmniCure风冷式UVC LED系统，助力提升表面固化性能
AC8225-275 nm UVC LED系统扩展了OmniCure AC8系列产品线，旨在解决制造商从汞弧灯向UV LED固化技术转型过程中面临的表面固化难题 Excelitas 作为先进生命科学技术的供应商，致力于为全球生命科学、先进工业、新...
时间：2026-07-07 阅读：450 关键词：UVC LED系统
在当今追求零碳社会的大背景下，交通工具的电动化进程至关重要。在这一进程中，更轻、更高效的电子元器件发挥着不可或缺的作用，车载充电器（OBC）便是其中的典型代表。那...
借助 LTspice FFT 分析功能精准测量电容器有效纹波电流
电源设计方案的稳健性取决于产品的长久使用寿命，对于常规开关电源（SMPS），其可靠性往往与铝电解电容（Al - Ecap）的特性密切相关。铝电解电容采用液态电解质，易出现扩散与挥发现象，是整机首要寿命短板，也是决...
深度解析 IC－CPD 设计：线缆内置控制与保护器件软硬件指南
相关设计规则遵循 IEC 61851 - 1 标准，针对 2 型 EVSE 的具体规则则在补充标准 IEC 62752 中有明确规定。文中以 ADI 公司的全新参考设计为例，深入阐述了电动汽车充电过程...
本指南聚焦于各类高功率主流应用，旨在为 SiC MOSFET 匹配栅极驱动器提供专业且深入的指导。同时，积极探索减少导通损耗与功率损耗的有效策略，以最大化提升 SiC 器件在导...
在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，其核心材质多为二氧化硅（SiO），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重...
