2020年2月,碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET,带来了坚固可靠性和高性能。它是如何定义性能和应用场景的?下一步产品计划如何碳化硅业的难点在哪里?...
英飞凌推出采用D2PAK 7pin+封装的StrongIRFET MOSFET,瞄准电池供电应用
英飞凌科技股份公司进一步壮大StrongIRFET 40-60 V MOSFET产品阵容,推出三款采用D2PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力,可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。...
全新650 V CoolMOS™ CFD7A系列为汽车应用带来量身定制的超结MOSFET性能
为满足电动汽车市场的需求,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新产品系列:CoolMOS? CFD7A系列。这些硅基高性能产品可用于车载充电器系统的PFC和DC-DC级,以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-...
我们来到了这个试图破解功率 MOSFET 数据表的“看懂 MOSFET 数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中,我们将花时间看一看 MOSFET 数据表中出现的某些其它混合开关参数,...
道用电之前,人们用蜡烛照明。这在过去是常用的能在黑暗中视物的照明方式,但灯泡的发明显然是更好的解决方案。 像蜡烛一样,功率 MOSFET(功率场效应晶体管)是切换负...
Rutronik儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低于2mΩ级别中的输出电容(Coss)。儒卓力上供应这款MOSFET器件。 SiSS...
在MOSFET器件的功率问题中如何采用反激转换器消除米勒效应
设计电源时,工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况下, 比如转换器在非连续导电模式(DCM)下工作时,若选择Rds(on)较小的MOSF...
传统硅基MOSFET技术日趋成熟,正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好,能够提高MOSFET的性能,是一项关注度很高的替代技术。 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史,自问世以来,MOSFET和IG...
为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?为什么是 100 Ω?
为了稳定性,必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗? 只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么,你很可...
功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 由于相应理论技术文...
同类的超级结MOSFET和 具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩
插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统,可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,开...
分类:动力电池/充电桩 时间:2019-10-30 阅读:910 关键词:MOSFET,充电桩