Pan Jit - 强茂推出全新600V和650V Super Junction MOSFET 系列产品
应用于Power Supply Unit (PSU)系统且拥有高效率和高质量的性能 强茂新推出第一代Super Junction MOSFET凭借能够提供简单高效的设计解决方案的特性，可成为各应用中PSU系统以及各种拓扑结构的 DC-DC 转换器、功率...
摘 要 本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素，包括器件特性、工作条件和外部电路；解释了开关损耗的主要影响因素，并确定了影响器件行为和使用的重要因素，...
分类：元器件应用 时间：2022-08-30 阅读：538 关键词：SiC MOSFET
寻根究底：PFC电路旁路二极管作用及MOSFET常见失效模式
中大功率的ACDC电源都会采用有源功率因数校正PFC电路来提高其功率因数，减少对电网的干扰。在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，在实际的使用中，通常会加一个旁路二级管D...
分类：元器件应用 时间：2022-08-19 阅读：737
辅助电源是电机驱动、光伏逆变器和 UPS 系统等工业应用的重要组成部分。高压直流总线转换为 5 V 至 48 V 直流电源，为控制电路、传感电路、冷却风扇、SELV 电路等供电。在...
Toshiba东芝推出五款新型MOSFET栅极驱动IC，助力移动电子设备小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品配备了过电压锁定功能，能根据输入电压控制外部MOSFET...
分类：元器件应用 时间：2022-07-15 阅读：434
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
在LFPAK封装中采用新型SOA（安全工作区） Trench技术，可提供出色的瞬态线性模式性能，为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。 基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASF...
功率MOSFET是最常见的功率半导体，主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度，使其成为电机驱动时最常用的功率半导体。本文将为您简介功率MOSFET的技术特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5...
摘要 功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意。从统计的角度来看，单个MOSFET不太可能被静电放电（ESD)损坏。然而，在处理成千上万...
SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。 线...
分类：元器件应用 时间：2022-06-08 阅读：361 关键词：SiC MOSFET
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用...
在线性模式供电的电子系统中，功率 MOSFET器件被广泛用作压控电阻器，电磁干扰 (EMI) 和系统总体成本是功率MOSFET的优势所在。 在线性模式工作时，MOSFET必须在恶劣工作条件下工作，承受很高的漏极电流(ID)和漏源...
ROHM罗姆第4代SiC MOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势
近年来，为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标，需要进一步普及下一代电动汽车（xEV），从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车（EV）领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸...
英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效
英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC?技术，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1...
汽车 OEM 正在迁移到 BLDC，以zui大限度地提高效率和可靠性。本文着眼于工程师在设计过程中应考虑的重要参数，以实现这些目标。 电磁感应 （EMI） 的发现改变了世界，预...
汽车 OEM 正在迁移到 BLDC，以zui大限度地提高效率和可靠性。本文着眼于工程师在设计过程中应考虑的重要参数，以实现这些目标。 电磁感应 （EMI） 的发现改变了世界，预示着新时代的到来。今天，它涉及到每个部门...
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如：穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结；熔化有源...
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化...
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。随着新能源受到世界政府的推动与支持，与新能源相关的半导体芯片需求...
