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K9K4G08U0M Datasheet

  • K9K4G08U0M

  • Samsung semiconductor [512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Fl...

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  • SAMSUNG

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K9W8G08U1M
K9K4G08Q0M
K9K4G08U0M
K9K4G16Q0M
K9K4G16U0M
FLASH MEMORY
NAND Flash Technical Notes
(Continued)
Addressing for program operation
Within a block, the pages must be programmed consecutively from the LSB (least significant bit) page of the block to MSB (most sig-
nificant bit) pages of the block. Random page address programming is prohibited.
Page 63
(64)
:
Page 63
(64)
:
Page 31
(32)
:
Page 31
(1)
:
Page 2
Page 1
Page 0
(3)
(2)
(1)
Page 2
Page 1
Page 0
(3)
(32)
(2)
Data register
Data register
From the LSB page to MSB page
DATA IN: Data (1)
Data (64)
Ex.) Random page program (Prohibition)
DATA IN: Data (1)
Data (64)
16

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