K9K4G08U0M Datasheet

  • K9K4G08U0M

  • Samsung semiconductor [512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Fl...

  • 600.21KB

  • SAMSUNG

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K9W8G08U1M
K9K4G08Q0M
K9K4G08U0M
K9K4G16Q0M
K9K4G16U0M
FLASH MEMORY
Input Data Latch Cycle
t
CLH
鈮?/div>
CLE
t
CH
CE
t
WC
ALE
t
ALS
t
WP
WE
t
DS
I/Ox
t
WH
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
鈮?/div>
鈮?/div>
鈮?/div>
鈮?/div>
t
WP
DIN 0
DIN 1
DIN final*
NOTES :
DIN final means 2112(X8) or 1056(X16)
Serial Access Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
t
CEA
鈮?/div>
CE
鈮?/div>
RE
t
RHZ*
I/Ox
t
RR
R/B
t
RHZ*
t
OH
Dout
Dout
t
RC
Dout
NOTES :
Transition is measured
卤200mV
from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
19
鈮?/div>
鈮?/div>
鈮?/div>
t
REA
t
REH
t
REA
t
REA
t
CHZ*
t
OH

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